Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015111301A1
Anmeldedatum13/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum19/01/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 33/38
ErfinderGehrke, Kai, Dr., 93051, Regensburg, DE
Anmelder/InhaberOSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015111301A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015111301A1
  
AbstractIn einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen ersten Halbleiterbereich (21) eines ersten und einen zweiten Halbleiterbereich (23) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Zwischen diesen beiden Halbleiterbereichen (21, 23) befindet sich eine aktive Zone (22), die zur Erzeugung von Licht eingerichtet ist. Eine erste elektrische Kontaktschicht (31) befindet sich stellenweise direkt an dem ersten Halbleiterbereich (21). Ferner befindet sich eine zweite elektrische Kontaktschicht (32) stellenweise direkt an dem zweiten Halbleiterbereich (23), wobei die Halbleiterbereiche (21, 23) über die Kontaktschichten (31, 33) bestromt werden. Weiterhin sind zwei metallische Stromzuführungen (41, 43) und eine Isolierschicht (5) vorhanden. Die Isolierschicht (5) bedeckt stellenweise direkt den zweiten Halbleiterbereich (23) und erhebt sich über diesen. Ferner befindet sich die Isolierschicht (5) unter der Stromzuführung (43) für den zweiten Halbleiterbereich (23). ...

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