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Facebook| Veröffentlichungs-Nummer | DE102015108056A1 |
| Anmeldedatum | 21/05/2015 00:00:00 |
| Veröffentlichungs-Datum | 24/11/2016 00:00:00 |
| IPC-Hauptklasse | H01L 33/62 |
| Erfinder | Ikonomov, Julian, Dr., 93073, Neutraubling, DE; Kasprzak-Zablocka, Anna, 93093, Donaustauf, DE; Leirer, Christian, Dr., 86316, Friedberg, DE; Perzlmaier, Korbinian, Dr., 93051, Regensburg, DE; Rammelsberger, Stefanie, 93197, Zeitlarn, DE |
| Anmelder/Inhaber | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE |
| Offenlegungsschrift | https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015108056A1 |
| Vollständige Beschreibung | https://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015108056A1 |
| Abstract | Ein optoelektronisches Halbleiterbauteils umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (C1) mit einem elektrisch leitfähige ausgebildeten Träger (T), einem aktiven Teil (AT), welcher epitaktisch gewachsene Schichten enthält, und einer Zwischenschicht (ZS), welche zwischen dem Träger (T) und dem aktiven Teil (AT) angeordnet ist und ein Lotmaterial enthält. Das optoelektronische Halbleiterbauteil umfasst weiterhin eine elektrische Anschlussstelle, welche eine Unterseite des Trägers (T) zumindest teilweise bedeckt, wobei die elektrische Anschlussstelle auf einer dem Träger (T) zugewandten Seite eine erste Kontaktschicht (KS1) umfasst und die erste Kontaktschicht (KS1) Aluminium enthält oder aus Aluminium besteht. |
