Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015110019A1
Anmeldedatum23/06/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum15/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/58
ErfinderChang, Kuo-Pin, Hsinchu, TW; Hsieh, Ching-Hua, Hsinchu, TW; Huang, Isaac, Hsinchu, TW; Huang, Tsung Lung, Hsinchu, TW; Kalnitsky, Alexander, Hsinchu, TW; Ku, Chin-Yu, Hsinchu, TW; Kuo, Cheng-Yu, Hsinchu, TW; Lei, Yi-Yang, Hsinchu, TW; Liao, De-Dui, Hsinchu, TW; Liu, Chung-Shi, Hsinchu, TW; Liu, Kuo-Chio, Hsinchu, TW; Wang, Hsi-Ching, Hsinchu, TW; Wu, Kai-Di, Hsinchu, TW; Yang, Sheng-Pin, Hsinchu, TW; Yu, Chen-Hu, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015110019A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015110019A1
  
AbstractEin Verfahren zur Fertigung einer Halbleiterstruktur, das Folgendes umfasst: Empfangen eines ersten Substrats, das eine erste Fläche, eine zweite Fläche gegenüber der ersten Fläche, und mehrere leitfähige Bondhügel umfasst, die über der ersten Fläche angeordnet sind; Empfangen eines zweiten Substrats; Anordnen eines Klebstoffs über dem ersten Substrat oder dem zweiten Substrat; Erwärmen des Klebstoffs in einer ersten Umgebung; Verbonden des ersten Substrats mit dem zweiten Substrat durch Anlegen einer Kraft von weniger als etwa 10.000 N an das erste Substrat oder das zweite Substrat und Erwärmen des Klebstoffs in einer zweiten Umgebung; und Ausdünnen einer Dicke des ersten Substrats von der zweiten Fläche aus.

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