Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015112916A1
Anmeldedatum06/08/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum24/11/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderChang, Che-Cheng, Hsinchu, TW; Lin, Chih-Han, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015112916A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015112916A1
  
AbstractEs werden Strukturen und Bildungsverfahren einer Halbleitervorrichtungsstruktur bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst eine Gratstruktur über einem Halbleitersubstrat. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst auch einen Gate-Stapel, der einen Abschnitt der Gratstruktur bedeckt. Der Gate-Stapel umfasst einen ersten Abschnitt und einen zweiten Abschnitt neben der Gratstruktur und der erste Abschnitt ist breiter als der zweite Abschnitt.

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