Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016100001A1
Anmeldedatum01/01/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum13/04/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/50
ErfinderHuang, Cheng-Lin, Hsinchu, TW; Hung, Jui-Pin, Hsinchu, TW; Jeng, Shin-Puu, Hsinchu, TW; Liu, Hsien-Wen, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016100001A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016100001A1
  
AbstractEs werden Strukturen und Herstellungsverfahren eines Chip-Package bereitgestellt. Das Chip-Package enthält einen Halbleiter-Die und eine Package-Schicht, die den Halbleiter-Die teilweise oder vollständig verkapselt. Das Chip-Package enthält außerdem ein leitfähiges Strukturelement, das die Package-Schicht durchdringt. Das Chip-Package enthält des Weiteren eine Grenzschicht, wobei die Grenzschicht das leitfähige Strukturelement durchgängig umgibt. Die Grenzschicht befindet sich zwischen dem leitfähigen Strukturelement und der Package-Schicht, und die Grenzschicht besteht aus einem Metalloxidmaterial.

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