Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015113250A1
Anmeldedatum12/08/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum24/11/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/423
ErfinderChang, Chai-Wei, Hsinchu, TW; Chang, Kuo-Hui, Hsinchu, TW; Chao, Yi-Cheng, Hsinchu, TW; Wu, Po-Chi, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsin-Chu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015113250A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015113250A1
  
AbstractStrukturen und Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitervorrichtungsstruktur sind bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst einen Gatestapel über einem Halbleitersubstrat und ein Abdeckelement über dem Gatestapel. Das Abdeckelement weist einen oberen Abschnitt und einen unteren Abschnitt auf und der obere Abschnitt ist breiter als der untere Abschnitt. Die Halbleitervorrichtungsstruktur umfasst außerdem ein Spacerelement über einer Seitenwand des Abdeckelements und einer Seitenwand des Gatestapels.

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