Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015109545A1
Anmeldedatum15/06/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum15/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderBach, Karl Heinz, Dr., 82194, Gröbenzell, DE; Hirler, Franz, Dr., 84424, Isen, DE; Kampen, Christian, Dr., 80331, München, DE; Schustereder, Werner, Dr., Villach, AT; Siemieniec, Ralf, Dr., Villach, AT; Zundel, Markus, 85658, Egmating, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015109545A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015109545A1
  
AbstractEs wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung offenbart. Eine Ausgestaltung des Halbleiterbauelements weist zumindest eine Transistorzelle auf, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist: in dem Halbleiterkörper ein Driftgebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet zwischen dem Sourcegebiet und dem Driftgebiet angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet angeordnet ist; eine Gateelektrode, die zu dem Bodygebiet benachbart und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist; eine Feldelektrode, die durch ein Feldelektrodendielektrikum gegenüber dem Driftgebiet dielektrisch isoliert ist; wobei das Driftgebiet ein Lawinengebiet aufweist, wobei das Lawinengebiet eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet ...

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