Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015114900A1
Anmeldedatum06/09/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum24/11/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01J 37/32
ErfinderKung, Hsiang-Sheng, Hsinchu, TW; Leu, Po-Hsiung, Hsinchu, TW; Liao, Si-Wen, Hsinchu, TW; Liu, Ding-I, Hsinchu, TW; Wu, Cheng-Tsung, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsinchu, TW
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015114900A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015114900A1
  
AbstractEin Plasmabearbeitungssystem und ein Verfahren zum Steuern eines Plasmas in einer Halbleiterfertigung sind bereitgestellt. Das System umfasst ein Remote-Plasma-Modul, das zum Erzeugen eines Plasmas ausgelegt ist. Das System umfasst ferner ein Stoffmischelement, das zum Empfangen des Plasmas ausgelegt ist. Das System umfasst außerdem eine Prozesskammer, die zum Empfangen des Plasmas von dem Stoffmischelement für eine Bearbeitung ausgelegt ist. Außerdem umfasst das System ein Erfassungsmodul, das zum Überwachen des Plasmas in dem Stoffmischelement ausgelegt ist.

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