Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015111210A1
Anmeldedatum10/07/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum12/01/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/423
ErfinderBartels, Martin, Dr., 01109, Dresden, DE; Lemke, Marko, 01069, Dresden, DE; Tegen, Stefan, Dr., 01109, Dresden, DE; Weis, Rolf, Dr., 01109, Dresden, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies Dresden GmbH, 01099, Dresden, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015111210A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015111210A1
  
AbstractOffenbart wird ein Verfahren welches aufweist: Ausbilden eines ersten Grabens in einem Halbleiterkörper zwischen zwei Halbleiter-Finnen; Auffüllen des ersten Grabens mit einem ersten Füllmaterial; teilweises Entfernen des ersten Füllmaterials durch Ausbilden eines zweiten Grabens derart, dass der zweite Graben ein geringeres Aspektverhältnis aufweist als der erste Graben; und Auffüllen des zweiten Grabens mit einem zweiten Füllmaterial, wodurch eine durchgehende Materialschicht auf dem ersten Füllmaterial ausgebildet wird.

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