Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016206542A1
Anmeldedatum19/04/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum03/11/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/58
ErfinderHino, Yasunari, Tokio, JP; Kawabata, Daisuke, Tokyo, JP
Anmelder/InhaberMitsubishi Electric Corporation, Tokyo, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016206542A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016206542A1
  
AbstractEin Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst: (a) Anordnen eines Verbindungsmaterials (Isoliersubstrats (3)) auf einem Substrat, mit einer Folienform und mit einer Sinterfähigkeit;(b) Anordnen eines Halbleiterelements (1) auf dem Verbindungsmaterial (2a) nach dem Schritt (a); und (c) Sintern des Verbindungsmaterials (2a), wobei ein Druck auf das Verbindungsmaterial (2a) zwischen dem Substrat und dem Halbleiterelement (1) aufgebracht wird. Das Verbindungsmaterial (2a) umfasst Partikel aus Ag und Cu, und die Partikel sind mit einer organischen Schicht beschichtet.

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