Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016108910A1
Anmeldedatum13/05/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum17/11/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/329
ErfinderMiyake, Hiroki, Aichi-ken, Toyota-shi, JP; Nagaoka, Tatsuji, Aichi-ken, Toyota-shi, JP
Anmelder/InhaberTOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, Aichi-ken, Toyota-shi, JP
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016108910A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016108910A1
  
AbstractEine Halbleiterstruktur ist in einem SiC-Substrat gebildet. Eine thermische Oxidschicht wird auf einer vorderen Oberfläche des SiC-Substrats gebildet. Eine Öffnung, die die vordere Oberfläche des SiC-Substrats erreicht, wird durch Ätzen eines Teiles der thermischen Oxidschicht gebildet. Die Öffnung wird mit einem Material gefüllt, das eine Schottky-Elektrode wird. Ein Bilden einer thermischen Oxidopferschicht auf der vorderen Oberfläche des SiC-Substrats wird nicht nach dem Bilden der Halbleiterstruktur und vor dem Bilden der thermischen Oxidschicht ausgeführt.

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