Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015108345A1
Anmeldedatum27/05/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum01/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 33/62
ErfinderBarchmann, Bernd, 93059, Regensburg, DE; Becker, Dirk, 84085, Langquaid, DE; Biebersdorf, Andreas, Dr., 93055, Regensburg, DE; Hoxhold, Björn, Dr., 93161, Sinzing, DE; Schlosser, Philipp, 93047, Regensburg, DE; Schwarz, Thomas, 93055, Regensburg, DE; Waldschik, Andreas, Dr., 39326, Wolmirstedt, DE
Anmelder/InhaberOSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015108345A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015108345A1
  
AbstractIn mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen eines Trägers (2), wobei der Träger (2) ein metallisches Kernmaterial (24) aufweist und zumindest an einer Trägeroberseite (22) auf das Kernmaterial (24) eine Metallschicht (25) und darauffolgend ein dielektrischer Spiegel (26) aufgebracht sind, B) Ausbilden von mindestens zwei Löchern (3) durch den Träger (2) hindurch, C) Erzeugen einer Keramikschicht (4) mit einer Dicke von höchstens 100 µm zumindest an einer Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), wobei die Keramikschicht (4) als Komponente das Kernmaterial (24) umfasst, D) Aufbringen von metallischen Kontaktschichten (91, 92) auf zumindest Teilbereiche der Keramikschicht (4) an der Trägerunterseite (21) und in den Löchern (3), sodass durch die Löcher (3) die Trägeroberseite (22) elektrisch mit der Trägerunterseite (21) verbunden wird, und E) Aufbringen ...

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