Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102015121913A1
Anmeldedatum16/12/2015 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum01/12/2016 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/8238
ErfinderPerrin, Emmanuel, Bernin, FR
Anmelder/InhaberSTMicroelectronics (Crolles 2) SAS, Crolles, FR
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102015121913A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102015121913A1
  
AbstractIntegrierte Schaltung, umfassend ein Substrat (1) vom Typ SOI, umfassend eine Halbleiterfolie (12), die sich über einer vergrabenen Isolierschicht (11) befindet, die sich selbst über einem Trägersubstrat (10) befindet, wobei die Halbleiterfolie (12) eine erste Zone (Z1), erste Motive (21) über der ersten Zone (Z1) der Halbleiterfolie (12) umfasst, die Gate-Bereiche von ersten MOS-Transistoren und erste fiktive Gate-Bereiche bilden, wobei die erste Zone (Z1) der Halbleiterfolie zwei wechselseitig beabstandete Bereiche (d1, d2) umfasst, wobei der Raum (7) mit mindestens einem Isoliermaterial (9) gefüllt ist und sich zwischen zwei fiktiven Gate-Bereichen (240, 241) über einem Bereich des Trägersubstrats (11) ohne Isoliereinschnitt befindet.

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