Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102017203030A1
Anmeldedatum24/02/2017 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum24/08/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 23/055
ErfinderCho, Eung San, Calif., Torrance, US; Clavette, Danny, Calif., Greene, US
Anmelder/InhaberInfineon Technologies Americas Corp., Calif., El Segundo, US
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102017203030A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102017203030A1
  
AbstractEin Halbleitergehäuse umfasst eine Ausgangsinduktivität, die auf einem Trägersubstrat angeordnet ist, einen Leistungshalbleiternacktchip mit einer unteren Oberfläche, die auf dem Trägersubstrat angeordnet ist, und einer oberen Oberfläche mit einem aktiven Gebiet, wobei die Ausgangsinduktivität mit dem aktiven Gebiet auf der oberen Oberfläche des Trägersubstrats verbunden ist und das Trägersubstrat eine Vielzahl von stabförmigen Durchkontaktierungen umfasst. Die Ausgangsinduktivität ist eine im Gehäuse aufgenommene Komponente, die zumindest zwei Zuleitungen in elektrischer Verbindung mit dem aktiven Gebiet des Leistungshalbleiternacktchips aufweist. Das Trägersubstrat umfasst ferner Leitwegleiter in elektrischer Verbindung mit dem aktiven Gebiet des Leistungshalbleiternacktchips. Der Leistungshalbleiternacktchip umfasst einen Steuertransistor und einen Sync-Transistor, die in einer Halbbrücke verbunden sind.

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