Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102017103765A1
Anmeldedatum23/02/2017 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum31/08/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderBarrenscheen, Jens, 81669, München, DE; Bina, Markus, , 82054, Sauerlach, DE; Mauder, Anton, Dr., 83059, Kolbermoor, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies Austria AG, Villach, AT
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102017103765A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102017103765A1
  
AbstractGemäß einer Ausgestaltung umfasst ein Verfahren das Einschalten eines Transistorbauelements durch Erzeugen eines ersten leitenden Kanals, indem eine erste Gateelektrode angesteuert wird, und, bevor der erste leitende Kanal erzeugt wird, Erzeugen eines zweiten leitenden Kanals, indem eine zweite Gateelektrode angesteuert wird, wobei sich die zweite Gateelektrode in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements benachbart zu der ersten Gateelektrode befindet.

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