Eugen G. Leuze Verlag KG
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Veröffentlichungs-NummerDE102016103346A1
Anmeldedatum25/02/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum31/08/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 33/14
ErfinderBergbauer, Werner, Dr., 94336, Windberg, DE; Drechsel, Philipp, Dr., 93051, Regensburg, DE; Lahourcade, Lise, Dr., 93055, Regensburg, DE; Lehnhardt, Thomas, Dr., 93053, Regensburg, DE; Off, Jürgen, Dr., 93049, Regensburg, DE
Anmelder/InhaberOSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055, Regensburg, DE
  
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016103346A1
  
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016103346A1
  
AbstractEs wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), – epitaktisches Aufwachsen einer Pufferschicht (3) auf das Aufwachssubstrat (1), wobei in der Pufferschicht (3) eine Vielzahl an V-Pits (4) erzeugt wird, – epitaktisches Aufwachsen einer strahlungserzeugenden aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Pufferschicht (3), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die aktive Halbleiterschichtenfolge (5) fortsetzt, – epitaktisches Aufwachsen einer weiteren Schichtenfolge (9) auf die aktive Halbleiterschichtenfolge (5), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die weitere Schichtenfolge (9) fortsetzt, – Selektives Entfernen der weiteren Schichtenfolge (9) von den Facetten (8) der V-Pits (4), wobei die weitere Schichtenfolge (9) auf der Hauptfläche (12) der aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) verbleibt, und – epitaktisches Aufwachsen ...

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