Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102016115000A1
Anmeldedatum12/08/2016 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum26/10/2017 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/98
ErfinderChen, Ju-Shi, Hsinchu, TW; Chen, Sheng-Chau, Hsinchu, TW; Chou, Shih Pei, Hsinchu, TW; Chuang, Chun-Chieh, Hsinchu, TW; Ho, Cheng-Ying, Hsinchu, TW; Hung, Feng-Chi, Hsinchu, TW; Shen, Hui-Wen, Hsinchu, TW; Ting, Shyh-Fann, Hsinchu, TW; Wang, Ching-Chun, Hsinchu, TW; Yaung, Dun-Nian, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102016115000A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102016115000A1
AbstractVerfahren zur Verbesserung von Hybrid-Bonderträgen für Halbleiterwafer beim Ausbilden von 3DIC-Vorrichtungen umfassen erste und zweite Wafer, die Dummy- und Hauptmetall aufweisen, das während der BEOL-Bearbeitung abgeschieden und strukturiert wird. Metall der Dummy-Metallstruktur besetzt zwischen etwa 40% und etwa 90% der Fläche jedes gegebenen Dummy-Metallstrukturbereichs. Eine hohe Dummy-Metalloberflächenabdeckung in Verbindung mit der Verwendung von geschlitzten leitfähigen Pads erlaubt eine verbesserte Planarisierung von Waferoberflächen, die für Hybrid-Bonden bereitgestellt werden. Planarisierte Wafer zeigen minimale topographische Abweichungen, die Stufenhöhenunterschieden von weniger als etwa 400 Å entsprechen. Die planarisierten ersten und zweiten Wafer werden ausgerichtet und anschließend mit Anwendung von Wärme und Druck Dielektrikum-zu-Dielektrikum und RDL-zu-RDL hybrid-gebondet. Lithographiesteuerung zum Erreichen einer WEE von etwa 0,5 mm bis etwa 1,5 mm kann auch ...

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