Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019207318A1
Anmeldedatum20/05/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum24/12/2019 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderDisney, Donald R., CA, Santa Clara, US; Lim, Khee Yong, Singapore, SG; Quek, Elgin Kiok Boone, Singapore, SG; Yeo, Chia Ching, Singapore, SG
Anmelder/InhaberGLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd., Singapore, SG
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102019207318A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019207318A1
Abstract Die vorliegenden Angaben beziehen sich auf Halbleiterstrukturen und insbesondere auf MOSFET-Strukturen mit verlängertem Drain mit zwei verschiedenen Oxiddicken und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst einen Metall-Oxid-Halbleiter-Transistor mit verlängertem Drain (EDMOS-Transistor), der eine Gatestruktur mit einem Schema mit zwei Oxiden umfasst.

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