Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019117150A1
Anmeldedatum26/06/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum16/01/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/768
ErfinderChang, Po-Chin, Hsinchu, TW; Lin, Li-Te, Hsinchu, TW; Lin, Pinyen, Hsinchu, TW; Wu, Wei-Hao, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102019117150A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019117150A1
Abstract Ein Verfahren umfasst ein Entfernen eines Dummy-Gates, um zwischen Gate-Spacern einen Graben zurückzulassen, Bilden eines sich in den Graben hinein erstreckenden Gatedielektrikums, Abscheiden einer Metallschicht über dem Gatedielektrikum, wobei die Metallschicht einen sich in den Graben hinein erstreckenden Abschnitt umfasst, Abscheiden eines Füllbereichs in den Graben, wobei die Metallschicht einen ersten und einen zweiten vertikalen Abschnitt auf entgegengesetzten Seiten des Füllbereichs aufweist, Rückätzen der Metallschicht, wobei der Füllbereich zumindest weniger vertieft wird als die Metallschicht und wobei verbleibende Teile des Abschnitts der Metallschicht eine Gateelektrode bilden, Abscheiden eines dielektrischen Materials in den Graben und Durchführen einer Planarisierung, um überschüssige Abschnitte des dielektrischen Materials zu entfernen. Ein Abschnitt des dielektrischen Materials in dem Graben bildet zumindest einen Abschnitt einer dielektrischen Hartmaske über der ...

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