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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019117005A1
Anmeldedatum25/06/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum16/01/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/768
ErfinderChang, Ken-Yu, Hsinchu, TW; Lin, Wei-Jung, Hsinchu, TW; Tsai, Chun-I, Hsinchu, TW; Tsai, Ming-Hsing, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102019117005A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019117005A1
Abstract Allgemein stellt die vorliegende Offenbarung Ausführungsbeispiele, die leitfähige Merkmale, wie etwa metallische Kontakte, Durchkontaktierungen, Leitbahnen usw., betreffen, und Verfahren zum Ausbilden dieser leitfähigen Merkmale bereit. In einer Ausführungsform wird entlang einer Seitenwand eine Barriereschicht ausgebildet. Ein Abschnitt der Barriereschicht entlang der Seitenwand wird mittels eines Nassätzprozesses rückgeätzt. Nach dem Rückätzen des Abschnitts der Barriereschicht liegt eine darunterliegende dielektrische Schweißschicht frei. Entlang der Barriereschicht wird ein leitfähiges Material ausgebildet.

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