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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019116996A1
Anmeldedatum25/06/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum16/01/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/76
ErfinderFang, Ziwei, Hsinchu, TW; Mineji, Akira, Hsinchu, TW; Sun, Hung-Chang, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102019116996A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019116996A1
Abstract Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur gemäß einigen Ausführungsformen bereit. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Empfangen eines Substrats mit einem aktiven Bereich und einem Isolationsbereich; Herstellen von Gatestapeln auf dem Substrat, die sich von dem aktiven Bereich bis zu dem Isolationsbereich erstrecken; Herstellen eines inneren Gate-Abstandshalters und eines äußeren Gate-Abstandshalters auf Seitenwänden der Gatestapel; Herstellen einer Zwischenebenendielektrikum-Schicht (ILD-Schicht) auf dem Substrat; Entfernen des äußeren Gate-Abstandshalters in dem Isolationsbereich, sodass ein Luftspalt zwischen dem inneren Gate-Abstandshalter und der ILD-Schicht entsteht; und Durchführen eines Ionenimplantationsprozesses an der ILD-Schicht, wodurch die ILD-Schicht so ausgedehnt wird, dass sie den Luftspalt verkappt.

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