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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019116861A1
Anmeldedatum24/06/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum16/01/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/8234
ErfinderCheng, Kuan-Lun, Hsinchu, TW; Ching, Kuo-Cheng, Hsinchu, TW; Ju, Shi Ning, Hsinchu, TW; Wang, Chih-Hao, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=pdf&docid=DE102019116861A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019116861A1
Abstract Es werden FinFET-Strukturierungsverfahren zum Erreichen von Gleichmäßigkeit bei den Finnenbreiten offenbart. Ein beispielhaftes Verfahren enthält das Ausbilden einer Dornschicht über einem Substrat. Ein erster Schnitt entfernt einen Abschnitt der Dornschicht, wodurch ein Dornstrukturelement zurückbleibt, das direkt neben einem Dummy-Dornstrukturelement angeordnet ist. Das Substrat wird unter Verwendung des Dornstrukturelements und des Dummy-Dornstrukturelements als eine Ätzmaske geätzt, wodurch ein Dummy-Finnenstrukturelement und ein aktives Finnenstrukturelement gebildet werden, die um einen ersten Abstand entlang einer ersten Richtung getrennt sind. Ein zweiter Schnitt entfernt einen Abschnitt des Dummy-Finnenstrukturelements und einen Abschnitt des aktiven Finnenstrukturelements, wodurch Dummy-Finnen, die um einen zweiten Abstand getrennt sind, und aktive Finnen, die um den zweiten Abstand getrennt sind, gebildet werden. Der zweite Abstand verläuft entlang einer zweiten Richtung, ...

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