Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019130777A1
Anmeldedatum14/11/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum18/06/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/108
ErfinderDewey, Gilbert, Oreg., Hillsboro, US; Huang, Cheng-Ying, OR, Hillsboro, US; Jun, Kimin, OR, Portland, US; Lilak, Aaron D., Oreg., Beaverton, US; Ma, Sean T., Oreg., Portland, US; Mannebach, Ehren, OR, Tigard, US; Morrow, Patrick, Oreg., Portland, US; Phan, Anh, OR, Beaverton, US; Rachmady, Willy, Oreg., Beaverton, US; Sharma, Abhishek, OR, Hillsboro, US; Yoo, Hui Jae, OR, Hillsboro, US
Anmelder/InhaberIntel Corporation, Calif., Santa Clara, US
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=pdf&docid=DE102019130777A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019130777A1
Abstract [DE] Ausführungsbeispiele beschreiben hierin Techniken für ein Halbleiterbauelement, das eine Speicherzelle vertikal über einem Substrat umfasst. Die Speicherzelle umfasst einen Metall-Isolator-Metall- (MIM-) Kondensator an einem unteren Bauelementabschnitt und einen Transistor an einem oberen Bauelementabschnitt über dem unteren Bauelementabschnitt. Der MIM-Kondensator umfasst eine erste Platte und eine zweite Platte, die von der ersten Platte durch eine Kondensatordielektrikumsschicht getrennt ist. Die erste Platte umfasst eine erste Gruppe von Metallkontakten, die mit einer Metallelektrode vertikal über dem Substrat gekoppelt sind. Die erste Gruppe von Metallkontakten befindet sich innerhalb einer oder mehrerer Metallschichten über dem Substrat in einer horizontalen Richtung parallel zu einer Oberfläche des Substrats. Ferner ist die Metallelektrode der ersten Platte des MIM-Kondensators auch eine Source-Elektrode des Transistors. Andere Ausführungsbeispiele können beschrieben und/oder ...

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