Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019130505A1
Anmeldedatum12/11/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum18/06/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderDewey, Gilbert, Oreg., Hillsboro, US; Huang, Cheng-Ying, OR, Hillsboro, US; Jun, Kimin, OR, Portland, US; Kavalieros, Jack T., Oreg., Portland, US; Lilak, Aaron D., Oreg., Beaverton, US; Mannebach, Ehren, OR, Tigard, US; Morrow, Patrick, Oreg., Portland, US; Mueller, Brennen, OR, Portland, US; Phan, Anh, OR, Beaverton, US; Rachmady, Willy, Oreg., Beaverton, US; Yoo, Hui Jae, OR, Hillsboro, US
Anmelder/InhaberIntel Corporation, Calif., Santa Clara, US
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=pdf&docid=DE102019130505A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019130505A1
Abstract [DE] Ausführungsbeispiele beschreiben hierin Techniken für ein Halbleiterbauelement über einem Halbleitersubstrat. Eine erste Bond-Schicht ist über dem Halbleitersubstrat. Einer oder mehrere Nanodrähte sind über der ersten Bond-Schicht gebildet, um eine Kanalschicht zu sein. Eine Gate-Elektrode ist um einen Nanodraht, wobei die Gate-Elektrode in Kontakt mit der ersten Bond-Schicht ist und durch eine Gatedielektrikumsschicht von dem Nanodraht getrennt ist. Eine Source-Elektrode oder eine Drain-Elektrode ist in Kontakt mit dem Nanodraht, über einem Bond-Bereich einer zweiten Bond-Schicht und getrennt von der Gate-Elektrode durch einen Abstandshalter, wobei die zweite Bond-Schicht über und in direktem Kontakt mit der ersten Bond-Schicht ist. Andere Ausführungsbeispiele können beschrieben und/oder beansprucht sein.

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