Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019130454A1
Anmeldedatum12/11/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum04/06/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 27/092
ErfinderChen, Chih-Hsuan, Hsinchu, TW; Hung, Lien Jung, Hsinchu, TW; Lin, Shih-Hao, Hsinchu, TW; Pao, Chia-Hao, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=pdf&docid=DE102019130454A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019130454A1
Abstract [DE] Hierin werden Gate-Strukturen und Verfahren zu ihrer Fertigung mit neutralen Zonen offenbart, um die metallischen Gate-Grenzeffekte zu minimieren. Ein exemplarisches metallisches Gate umfasst einen ersten Abschnitt, einen zweiten Abschnitt und einen dritten Abschnitt. Der zweite Abschnitt ist zwischen dem ersten Abschnitt und dem dritten Abschnitt angeordnet. Der erste Abschnitt umfasst eine erste dielektrische Gate-Schicht, eine erste p-Austrittsarbeitsschicht und eine erste n-Austrittsarbeitsschicht. Der zweite Abschnitt umfasst eine zweite dielektrische Gate-Schicht und eine zweite p-Austrittsarbeitsschicht. Der dritte Abschnitt umfasst eine dritte dielektrische Gate-Schicht, eine dritte p-Austrittsarbeit und eine zweite n-Austrittsarbeitsschicht. Die zweite p-Austrittsarbeitsschicht trennt die erste n-Austrittsarbeitsschicht von der zweiten n-Austrittsarbeitsschicht, so dass die erste n-Austrittsarbeitsschicht keine Grenzfläche mit der zweiten n-Austrittsarbeitsschicht teilt.

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