Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019123636A1
Anmeldedatum04/09/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum04/06/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/762
ErfinderChen, Pu-Fang, Hsinchu, TW; Chen, Yen-Hsiu, Hsinchu, TW; Cheng, Yu-Hung, Hsinchu, TW; Chiang, Po-Jung, Hsinchu, TW; Lee, Ru-Liang, Hsinchu, TW; Lin, Shi-Chieh, Hsinchu, TW; Lu, Victor Y., Hsinchu, TW; Tu, Your-Luen, Hsinchu, TW; Wu, Cheng-Ta, Hsinchu, TW; Yeh, Yu-Lung, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=pdf&docid=DE102019123636A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019123636A1
Abstract [DE] Verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Anmeldung richten sich auf ein Verfahren zum Ausbilden einer SOI-Vorrichtung (Halbleiter auf einem Isolator) mit einer Verunreinigungs-Bekämpfungsschicht zum Absorbieren potenzieller Kontaminationsmetallpartikeln während eines Temperprozesses, und die SOI-Struktur davon. In einigen Ausführungsformen wird eine Verunreinigungs-Bekämpfungsschicht auf dem Dummy-Substrat ausgebildet. Eine Isolationsschicht wird über einem Trägersubstrat ausgebildet. Eine Vorderseite des Dummy-Wafers wird an die Isolationsschicht gebondet. Ein Temperprozess wird durchgeführt, und die Verunreinigungs-Bekämpfungsschicht absorbiert Metall aus einem oberen Abschnitt des Dummy-Substrats. Dann wird ein Hauptabschnitts des Dummy-Substrats entfernt, der die Verunreinigungs-Bekämpfungsschicht aufweist, wodurch eine Vorrichtungsschicht des Dummy-Substrats auf der Isolationsschicht verbleibt.

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