Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019118613A1
Anmeldedatum10/07/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum04/06/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/336
ErfinderChou, Li-Wei, Hsinchu, TW; Kwok, Tsz-Mei, Hsinchu, TW; Yang, Tsung-Hsi, Hsinchu, TW; Yu, Jeng-Wei, Hsinchu, TW; Yu, Ming-Hua, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=pdf&docid=DE102019118613A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019118613A1
Abstract [DE] Ein Verfahren weist die folgenden Schritte auf: Herstellen von Isolationsbereichen, die in ein Halbleitersubstrat hinein reichen; Aussparen der Isolationsbereiche, wobei ein Halbleiterbereich zwischen den Isolationsbereichen eine Halbleiterfinne bildet; Herstellen einer ersten dielektrischen Schicht auf den Isolationsbereichen und der Halbleiterfinne; Herstellen einer zweiten dielektrischen Schicht über der ersten dielektrischen Schicht; Planarisieren der zweiten dielektrischen Schicht und der ersten dielektrischen Schicht; und Aussparen der ersten dielektrischen Schicht. Ein Teil der zweiten dielektrischen Schicht steht über verbliebene Teile der ersten dielektrischen Schicht über, sodass eine überstehende dielektrische Finne entsteht. Ein Teil der Halbleiterfinne steht über die verbliebenen Teile der ersten dielektrischen Schicht über, sodass eine überstehende Halbleiterfinne entsteht. Ein Teil der überstehenden Halbleiterfinne wird ausgespart, um eine Aussparung zu erzeugen, ...

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