Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019118359A1
Anmeldedatum08/07/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum04/06/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderCheng, Kuan-Lun, Hsinchu, TW; Chuang, Chi-Yi, Hsinchu, TW; Tsai, Ching-Wei, Hsinchu, TW; Wang, Chih-Hao, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=pdf&docid=DE102019118359A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019118359A1
Abstract [DE] Die vorliegende Offenbarung stellt eine Halbleiterstruktur aufweisend ein Halbleitersubstrat, eine Isolatorfinne über dem Halbleitersubstrat, wobei die Isolatorfinne im Querschnitt eine Hauptabmessung lotrecht zu einer oberen Fläche des Halbleitersubstrats aufweist, und eine Halbleiterkappenschicht, welche die Isolatorfinne entlang der Hauptabmessung abdeckt, bereit. Auch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur wird in der vorliegenden Offenbarung offenbart.

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