Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102019109690A1
Anmeldedatum12/04/2019 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum10/06/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 21/50
ErfinderChen, Ming-Fa, Hsinchu, TW; Liu, Tzuan-Horng, Hsinchu, TW; Shih, Chao-Wen, Hsinchu, TW; Yeh, Sung-Feng, Hsinchu, TW; Yu, Chen-Hua, Hsinchu, TW
Anmelder/InhaberTaiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TW
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=pdf&docid=DE102019109690A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102019109690A1
Abstract [DE] Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur weist die folgenden Schritte auf: Befestigen von Rückseiten von oberen Dies an einer Vorderseite eines unteren Wafers, wobei der untere Wafer eine Mehrzahl von unteren Dies aufweist; Herstellen von ersten leitfähigen Säulen auf der Vorderseite des unteren Wafers benachbart zu den oberen Dies; Abscheiden eines ersten dielektrischen Materials auf der Vorderseite des unteren Wafers um die oberen Dies und um die ersten leitfähigen Säulen; und Zertrennen des unteren Wafers, um eine Mehrzahl von Strukturen herzustellen, die jeweils mindestens einen der oberen Dies und mindestens einen der unteren Dies aufweisen.

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