Eugen G. Leuze Verlag KG
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Offengelegte Patentanmeldungen Elektronikfertigung

Veröffentlichungs-NummerDE102018130737A1
Anmeldedatum03/12/2018 00:00:00
Veröffentlichungs-Datum04/06/2020 00:00:00
IPC-HauptklasseH01L 29/78
ErfinderLeendertz, Caspar, Dr., 81669, München, DE; Mauder, Anton, Dr., 83059, Kolbermoor, DE; Meiser, Andreas, 82054, Sauerlach, DE; Rupp, Roland, Dr., 91207, Lauf, DE
Anmelder/InhaberInfineon Technologies AG, 85579, Neubiberg, DE
Offenlegungsschrifthttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?action=pdf&docid=DE102018130737A1
Vollständige Beschreibunghttps://depatisnet.dpma.de/DepatisNet/depatisnet?window=1&space=main&content=treffer&action=textpdf&docid=DE102018130737A1
Abstract [DE] Eine Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) enthält einen Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (104), der ein Sourcegebiet (101) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein Bodygebiet (105) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, Abschirmgebiete (112) des zweiten Leitfähigkeitstyps und Kompensationsgebiete (114) des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist. Grabenstrukturen (102) erstrecken sich von einer ersten Oberfläche (103) entlang einer vertikalen Richtung (y) in den Siliziumcarbid-Halbleiterkörper (104). Jede der Grabenstrukturen (102) weist eine Hilfselektrode (106) an einem Boden (108) der Grabenstruktur (102) und eine Gateelektrode (110) zwischen der Hilfselektrode (106) und der ersten Oberfläche (103) auf. Die Hilfselektrode (106) ist von der Gateelektrode (110) elektrisch isoliert. An die Hilfselektrode (106) jeder der Grabenstrukturen (102) grenzt am Boden (108) der Grabenstruktur (102) zumindest eines der Abschirmgebiete (112) an. An jedes der Abschirmgebiete (112) grenzt am ...

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