Anzeige der Artikel nach Schlagwörtern: galliumnitrid

Nexperia ergänzt seine GaN-FET-Bauelemente, die auf der Hochspannungs-GaN-HEMT-Technologie basieren und in einem proprietären Kupferclip-CCPAK-Gehäuse verfügbar sind, jetzt um GaN-Kaskodenschalter.

Infineon Technologies will den kanadischen Halbleiterhersteller GaN Systems für 830 Mio. $ erwerben, wie am 2. März 2023 bekannt gegeben wurde. Das Unternehmen mit Hauptsitz im kanadischen Ottawa hat rund 200 Beschäftigte und entwickelt Leistungsumwandlungshalbleiter für Stromumwandlung in Elektrofahrzeugen, Servern, bei Solar- und Windenergie, Smart-Grid-Schaltungen und Lithium-Batteriemanagement.

Im belgischen Löwen entsteht ein neues F&E-Zentrum des Unternehmens Innoscience. Unter der Leitung von Dr. Jan Šonský sollen hier Technologien auf dem Feld der GaN-Gerätetechnologie (Gallium-Nitrid-auf-Silizium) entwickelt werden. Das erklärte Ziel: Innoscience will an der Spitze zukünftiger GaN-basierter Technologieinnovationen bleiben.

Zu den anspruchsvollen Elektronikanwendungen gehört die Laser-Bearbeitung von metallisierten, spröden GaN-Keramiksubstraten. Im vorliegenden Fall wurde dies mit einem ProtoLaser R4 von LPKF realisiert.

Bei der Infineon Technologies AG ist Dr. Rutger Wijburg ab 1. April 2022 neuer Chief Operations Officer (COO) und Mitglied des Vorstands. Er ist in dieser Funktion Nachfolger von Jochen Hanebeck, der seinerseits planmäßig den Vorstandsvorsitz von Dr. Reinhard Ploss übernimmt.
Wijburg kam 2018 zum Unternehmen und war als Geschäftsführer von Infineon Dresden für den erfolgreichen Hochlauf der hochautomatisierten 300-Millimeter-Produktion verantwortlich. Nachdem er Anfang 2021 die Rolle des Head of Frontend übernommen hatte, konzentrierte sich Wijburg auf den Ausbau der Verbindungshalbleiter-Kapazitäten und war maßgeblich an der Etablierung des Konzepts des 300-Millimeter-Clusters ‘One Virtual Fab' beteiligt. Er verfügt über mehr als 30 Jahre internationale Erfahrung in der Halbleiterindustrie.

Keysight Technologies stellt eine maßgeschneiderte Galliumnitrid (GaN)-Testplatine für den Dynamic Power Device Analyzer/Doppelpulstester PD1500A des Unternehmens vor. Damit können Entwickler von Stromrichtern – Schlüsselkomponenten der Leistungselektronik für die Elektrifizierung in den Märkten Transport, erneuerbare Energien und Industrie – die Prototypenzyklen reduzieren und die Einführung neuer Produkte beschleunigen.