Eugen G. Leuze Verlag GmbH & Co. KG
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Mittwoch, 15 November 2023 10:59

Rohm bietet mit der BM3G0xxMUV-LB-Serie der Marke EcoGAN Leistungsstufen-ICs mit integrierten 650-V GaN-HEMTs und Gate-Treibern. Sie eignen sich für Primärstromversorgungen in Industrie- und Verbraucheranwendungen wie Datenservern und AC-Adaptern und bieten zusätzliche Funktionen und Peripheriekomponenten zur Maximierung der GaN-HEMT-Leistung. Der große Ansteuerbereich (2,5 bis 30 V) gewährleistet die Kompatibilität mit anderen Controller-ICs in Primärstromversorgungen und erleichtert den Ersatz bestehender Silicium-MOSFETs (Super Junction). Dies ermöglicht gleichzeitig die Reduzierung der Abmessungen und der Verlustleistung um 99 % bzw. 55 % und damit einen höheren Wirkungsgrad bei geringerer Baugröße.

Rubrik: Free content
Schlagwörter
Montag, 23 Oktober 2023 11:59

 

Der vorliegende Artikel beleuchtet die neuen Möglichkeiten für die Motorensteuerung, die sich durch Fortschritte bei den MOSFETs auf Basis von Siliciumcarbid (SiC-MOSFETs) eröffnen.

Rubrik: Bauelemente
Montag, 18 September 2023 11:59

Infineon präsentiert die neuen Siliciumkarbid (SiC)-CoolSiC-MOSFETs 650 V im TO-Leadless- (TOLL) Gehäuse. Sie sind für für Anwendungen wie Stromversorgungen, Server, Infrastrukturen für Telekommunikation, Energiespeichersysteme und Batterieformationslösungen optimiert. Die MOSFETs auf Trench-Basis werden in einem granularen Portfolio angeboten, um unterschiedliche Anwendungen abzudecken. Sie werden im JEDEC-qualifizierten TOLL mit niedriger parasitärer Induktivität geliefert. Das erlaubt eine höhere Schaltfrequenz bei geringeren Schaltverlusten, gutes Wärmemanagement sowie automatisierte Montage.

Rubrik: Bauelemente
Schlagwörter
Dienstag, 25 Juli 2023 11:59

Vishay Intertechnology stellt derzeit 17 neue 650-V SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Sie zeichnen sich durch ein Merged-PIN Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, geringer kapazitiver Ladung und kleinem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen. Diese SiC-Dioden kommen als Versionen mit 4bis 40A im TO-22OAC 2L und TO-247AD 3L für Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für Oberflächenmontage. Die MPS-Struktur reduziert die Vorwärtsspannung um 0,3V im Vergleich zur vorherigen Generation, während das Produkt aus Vorwärtsspannung und kapazitiver Ladung um 17% geringer ist.

Rubrik: Bauelemente
Mittwoch, 15 September 2021 07:30

Halbleiterhersteller Rohm und die chinesische Geely Automobile Group sind eine strategische Partnerschaft eingegangen, um gemeinsam fortschrittliche Technologien im Automobilbereich zu entwickeln. Beide Unternehmen arbeiten bereits seit 2018 an einer Vielzahl von Automobilanwendungen zusammen. Die Partnerschaft soll die Zusammenarbeit weiter fördern und Innovationen für Automobilanwendungen beschleunigen.

Rubrik: NEWS PLUS
Schlagwörter
Donnerstag, 30 September 2021 11:59

Already today, about 40 % of the energy converted worldwide by technical systems is provided in the form of electric power. This share is expected to rise to around 60 % in 2040. These huge amounts of energy must not only be generated in a way that conserves resources and protects the environment, but must also be distributed and used efficiently.

Bereits heute werden etwa 40 % der weltweit durch technische Systeme konvertierten Energie in Form von elektrischem Strom bereitgestellt. Es wird erwartet, dass dieser Anteil im Jahr 2040 auf etwa 60 % steigt. Diese gewaltigen Energiemengen müssen nicht nur ressourcen- und umweltschonend erzeugt, sondern auch effizient verteilt und genutzt werden.

Mittwoch, 15 September 2021 11:59

Hohe Kühlleistung bei minimalem Druckverlust bieten die neuen IsoMAXX Kühlkörper von Mersen zur Flüssigkeitskühlung von Leistungshalbleitern. Sie erfüllen die hohen Anforderungen der aktuellen Leistungselektronik und wurden speziell für die neuesten SiC-, GaN- oder IGBT-Leistungsmodule entwickelt. Umrichter, Transportsysteme, Elektrofahrzeuge und alternative Energieerzeuger profitieren von immer effizienteren Wide-Bandgap-Halbleitern, die optimiert sind für höhere Schaltfrequenzen und höhere Temperaturen, und sich durch wesentlich kompakteres Design auszeichnen.

Rubrik: Bauelemente

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