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Der Metalloxid-Halbleiter Galliumoxid gilt als aussichtsreicher Kandidat für einen möglichen Einsatz in der Leistungselektronik. Die gezielte Beeinflussung seiner elektrischen Leitfähigkeit war aber bisher problematisch. Ein Forschungsteam unter Beteiligung des Helmholtz-Zentrums Dresden-Rossendorf (HZDR) hat nun untersucht, wie sich die Leitfähigkeit von Galliumoxid in seiner stabilsten Form (β-Ga2O3) über den kontrollierten Einbau von Wasserstoff in das Kristallgitter steuern lässt.