In der PLUS 3/2023 begann Dr. Hayao Nakahara mit der Kolumne ‚Bericht aus Amerika'. Er wagt eine umfassende Bestandaufnahme der Leiterplattenproduktion Nordamerikas und unternimmt eine weitgehende Recherche. In dieser Ausgabe findet der faszinierende Bericht aus Amerika seine Fortsetzung mit üppigem Datenmaterial.

Kennen Sie die Wertschöpfungskette von Nordsee-Krabben, bevor sie auf dem Krabbenbrötchen landen? Nach dem Fangen und Kochen auf dem Fangkutter, gehen unsere Krabben auf eine Flugreise nach Marokko. Dort erfolgt das händische Pulen aus der Schale durch günstige Arbeitskräfte, bevor sie dann den Rückflug nach Deutschland antreten.

Keysight Technologies hat eine Universal Signal Processing Architecture (USPA)-Prototyping-Plattform vorgestellt, die es Halbleiterunternehmen ermöglicht, ein vollständiges Chip-Prototyping und eine Verifizierung vor dem Tapeout in einer Echtzeit-Entwicklungsumgebung durchzuführen. Dabei werden digitale Zwillinge von vollständig konformen, standardbasierten Signalen integriert.

Vishay Intertechnology stellt derzeit 17 neue 650-V SiC-Schottky-Dioden der Generation 3 vor. Sie zeichnen sich durch ein Merged-PIN Schottky-Design (MPS) aus und kombinieren hohe Stoßstromfestigkeit mit niedriger Vorwärtsspannung, geringer kapazitiver Ladung und kleinem Sperrstrom, um die Effizienz und Zuverlässigkeit in Schaltnetzteil-Designs zu erhöhen. Diese SiC-Dioden kommen als Versionen mit 4bis 40A im TO-22OAC 2L und TO-247AD 3L für Durchsteckmontage sowie D2PAK 2L (TO-263AB 2L) für Oberflächenmontage. Die MPS-Struktur reduziert die Vorwärtsspannung um 0,3V im Vergleich zur vorherigen Generation, während das Produkt aus Vorwärtsspannung und kapazitiver Ladung um 17% geringer ist.

Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.

Rohm Semiconductor hat die Serienfertigung der 650-V GaN (Galliumnitrid) HEMTs GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z aufgenommen. Sie wurden mit Ancora Semiconductors, Tochtergesellschaft von Delta Electronics, entwickelt. Sie bieten Effizienzsteigerung und Miniaturisierung in Stromversorgungssystemen, einschließlich Servern und Netzteilen.

In unserem Special widmen wir uns diesmal dem Thema Rework. War dies seit eh und je ein wichtiger Teil der Electronics Manufacturing Services, werden in letzter Zeit Rework-Aufträge noch stärker nachgefrragt. Eine klare Folge der Lieferkettenprobleme, die die Branche in den letzten zwei Jahren in Atem hielten. Aber auch der zunehmende Nachhaltigkeitsgedanke sorgt für verstärktes Umdenken bei Rework-Lösungen.

Der ZVEI hat mit seinem Zielbild der ‚All-Electric-Society' eine Vision für die Zukunft entwickelt. Auf dem ZVEI-Jahreskongress 2023 wurde von hochkarätigen Personen aus Politik, Wirtschaft, Wissenschaft und Gesellschaft erörtert, wo wir aktuell stehen, welche Herausforderungen als nächstes zu lösen sind und welche Chancen sich ergeben. Um die Klimaziele zu erreichen, ist noch viel zu tun.

Der Markt für fortgeschrittene 2,5D- und 3D-Packaging-Technologien wird in den kommenden Jahren überproportional stark wachsen. Das haben Halbleiterexperten auf der internationalen Konferenz ‚Smarter Systems Through Heterogeneous Integration' des Branchenverbandes ‚Semi Europe' in Dresden prognostiziert.

Gar nicht so einfach, sich ein konsistentes Bild über den weiteren Verlauf des weltweiten Halbleitermarkts zu verschaffen: Mehrere Prognosen von Analysten und offiziellen Quellen der Industrie kommen zu unterschiedlichen Einschätzungen. Und diese differieren erheblich.