Montag, 09 Januar 2023 12:30

Siliciumkristallisation per Laser für MEMS-Sensoren

von Redaktion

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Geschätzte Lesezeit: 1 Minute

Herstellung von MEMS-Sensoreinheiten direkt auf aktiven Schaltkreisen Foto: Fraunhofer ILT, Aachen

Damit mikro-elektromechanische Systeme (MEMS) künftig noch leistungsfähiger werden, haben Forscherinnen und Forscher des Fraunhofer-Instituts für Lasertechnik ILT aus Aachen in Zusammenarbeit mit dem Fraunhofer ISIT und IST ein CMOS kompatibles Beschichtungs- und Laserkristallisationsverfahren entwickelt. Im Gegensatz zu sonst üblichen Verfahren entfallen hierbei Drähte und Lötstellen, was die Bauteilgröße deutlich senken und die Sensorleistung erhöhen kann.

Als Alternative zu konventionellen Fügetechniken setzt das Fraunhofer ILT auf ein laserbasiertes Verfahren, das es ermöglicht, MEMS-Sensoren aus kristallinem Silicium direkt (monolithisch) auf den temperaturempfindlichen Schaltkreisen aufzubauen. Die Hochtemperatur-Kristallisation mittels Laserstrahlung unterhalb des Schmelzpunktes von Silicium geschieht ortsselektiv und sehr schnell, so dass der darunter liegende Schaltkreis nicht beschädigt wird. Für das neue Verfahren zeichnen sich interessante Anwendungen für Automobilindustrie, Medizintechnik und Feuerwehr ab.

www.ilt.fraunhofer.de