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Der niederländische Chiphersteller Nexperia stellte Anfang Mai seine ersten Power-GaN-FETs in E-Mode-Konfiguration (Enhancement Mode) für Nieder- (100/150 V) und Hochspannungsanwendungen (650 V) vor. Die Erweiterung des Kaskoden-Angebots um sieben neue E-Mode-Bauelemente bietet neben dem umfangreichen Portfolio an silizium-blasierten Leistungselektronik-Bauelementen nun eine Auswahl an GaN-FETs.

Die Atome im Spannungsfeld einer Versetzung lösen sich schneller aus der Oberfläche und hinterlassen sog. Ätzgrübchen. Daneben bilden sich an Legierungen immer Mischpotentiale aus [5].