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Die immer höheren Anforderungen an die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit in der Halbleiterindustrie bei gleichzeitig kurzen Entwicklungszeiten bis zur Marktreife erhöhen den Bedarf an sehr schnellen Testmethoden. Deshalb wurde vor kurzem der BAMFIT-Tester als äußerst schnelle und effiziente Methode zur Bestimmung der Lebensdauer und Screening von Drahtbonds eingeführt. In diesem Beitrag wird eine praktische Methode für den direkten Vergleich der Drahtbonddegradation durch den mechanischen BAMFIT-Test und das beschleunigte Power Cycling präsentiert. Dabei werden Vergleichskurven erstellt, die eine äußerst schnelle Bestimmung der Restlebensdauer und eine realistische und zuverlässige Lebensdauerprognose für Halbleitermodule durch den BAMFIT-Test ermöglichen.

Der vorliegende Artikel beleuchtet die neuen Möglichkeiten für die Motorensteuerung, die sich durch Fortschritte bei den MOSFETs auf Basis von Siliciumcarbid (SiC-MOSFETs) eröffnen.

Toshiba Electronics Europe liefert einen neuen 650-V IGBT für Anwendungen in der Leistungsfaktor-Korrektur. Das betrifft die Consumer-Elektronik wie Klimaanlagen und andere Haushaltgeräte und gilt auch für die Industrieelektronik. Der Baustein GT30J65MRB ist ein N-Kanal IGBT mit Strom-Rating von 60 A im TO-3P(N) Package. Er basiert auf der neuesten IGBT-Generation von Toshiba mit optimierter interner Trench-Struktur.

Infineon Technologies bringt die IM523-Serie der CIPOS Mini Familie auf den Markt. Die IPMs (Intelligent Power Modules) basieren auf der neuen 600-V Reverse Conducting Drive 2 (RCD2) IGBT-Technologie mit offenem Emitter. CIPOS IM523 ermöglicht die Integration verschiedener Leistungs- und Steuerungskomponenten. Die neuen IPMs sind zur Steuerung von Drehstrommotoren in drehzahlvariablen Antrieben kleiner und mittlerer Leistung für Haushaltsgeräte, industrielle Lüfter und industrielle Antriebe bis 1,4 kW konzipiert.

Hohe Kühlleistung bei minimalem Druckverlust bieten die neuen IsoMAXX Kühlkörper von Mersen zur Flüssigkeitskühlung von Leistungshalbleitern. Sie erfüllen die hohen Anforderungen der aktuellen Leistungselektronik und wurden speziell für die neuesten SiC-, GaN- oder IGBT-Leistungsmodule entwickelt. Umrichter, Transportsysteme, Elektrofahrzeuge und alternative Energieerzeuger profitieren von immer effizienteren Wide-Bandgap-Halbleitern, die optimiert sind für höhere Schaltfrequenzen und höhere Temperaturen, und sich durch wesentlich kompakteres Design auszeichnen.

Der kürzlich aktualisierte Report "IGBT Market & Technology Trends" des französischen Marktforschers Yole Développement prognostiziert bis 2026 ein Wachstum des IGBT-Marktes (Insulated Gate Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) auf 8,4 Mrd. Dollar. Das entspricht 7,5%. Dabei wird das Segment der IGBT-Module, mit deren Nutzung in Hybrid/Elektrofahrzeugen, 81% des Marktes ausmachen.