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Infineon Technologies hat die CoolSiC MOSFETs 2000V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse neu auf den Markt gebracht. Das Unternehmen bedient damit die Nachfrage nach einer höheren Leistungsdichte. Die Bauteile im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse bieten eine Kriechstrecke von 14 mm und eine Luftstrecke von 5,4 mm. Sie liefern eine Benchmark-Gate-Schwellenspannung von 4,5 V und sind mit einer robusten Body-Diode für harte Kommutierung ausgestattet. Dank der von Infineon entwickelten .XTVerbindungstechnologie sollen sie über eine gute thermische Leitfähigkeit verfügen.

Infineon Technologies Austria hat eine Klage gegen Innoscience Technology und Innoscience America, sowie verbundene Unternehmen in den USA im Bundesstaat Kalifornien eingereicht. Infineon macht unter anderem einen Unterlassungsanspruch wegen der Verletzung eines US-Patents geltend.

Infineon Technologies und OMRON Social Solutions gehen eine Partnerschaft ein. Mit der Galliumnitrid (GaN)-basierten Stromversorgung von Infineon und der Schaltungstopologie und Steuerungstechnologie von OMRON wurde ein neues Vehicle-to-Everything (V2X) -Ladesystem entwickelt, das eines der kleinsten und leichtesten in Japan ist.

Infineon Technologies hat als Anbieter von Halbleitern eine Vereinbarung mit dem Siliziumkarbid (SiC)-Lieferanten Siltron geschlossen.

Infineon präsentiert die neuen Siliciumkarbid (SiC)-CoolSiC-MOSFETs 650 V im TO-Leadless- (TOLL) Gehäuse. Sie sind für für Anwendungen wie Stromversorgungen, Server, Infrastrukturen für Telekommunikation, Energiespeichersysteme und Batterieformationslösungen optimiert. Die MOSFETs auf Trench-Basis werden in einem granularen Portfolio angeboten, um unterschiedliche Anwendungen abzudecken. Sie werden im JEDEC-qualifizierten TOLL mit niedriger parasitärer Induktivität geliefert. Das erlaubt eine höhere Schaltfrequenz bei geringeren Schaltverlusten, gutes Wärmemanagement sowie automatisierte Montage.

In Gestalt eines technologisch und regionalpolitisch fein austarierten Joint Ventures mit Infineon, Bosch und NXP verschafft sich der am Weltmarkt führende Chip-Auftragsfertiger TSMC aus Taiwan einen ersten Stützpunkt in Deutschland.

Infineon Technologies präsentiert eine neue Generation von 1200-V CoolSiC-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Die Siliciumkarbid-(SiC)-MOSFETs ermöglichen bidirektionales Laden und tragen zur Reduzierung der Systemkosten in On-Board-Charging (OBC)- und DC-DC-Anwendungen bei. Die 1200-V-Variante der CoolSiC-Familie weist im Vergleich zur ersten Generation 25 % geringere Schaltverluste auf. Das ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, höhere Leistungsdichte und kleinere Systemgrößen. Mit einer Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) von über 4 V und einem sehr niedrigen Verhältnis zwischen Rückwirkungskapazität (Crss) und Eingangskapazität (Ciss) ermöglicht dies zuverlässiges Abschalten bei VGS = 0 V ohne parasitäre Einschaltvorgänge. Dies lässt unipolare Ansteuerung zu, was die Systemkomplexität und -kosten reduziert. Außerdem verringern sich durch den niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) die Leitungsverluste über den gesamten Temperaturbereich von -55 bis 175 °C.

Anja Sabine Boelitz, Head of Berlin Office, Senior Director Public Affairs bei Infineon Technologies, ist neue Vorsitzende der Fachgruppe Halbleiter innerhalb des ZVEI-Fachverbands Electronic Components and Systems (ECS). Boelitz wurde auf der Tagung der Fachgruppe bei Infineon Dresden und damit im Halbleiterökosystem Silicon Saxony einstimmig gewählt.

Die neue Infineon-Chipfabrik in Dresden ist mehr eine Fab unter vielen: Für die EU ist sie endlich ein vorzeigbares Beispiel, dass das Europäische Chipgesetz wirkt. Derweil verdichten sich die Indizien für ein taiwanesisches Engagement in Sachsen. Der Freistaat hat schon ein paar mal gezeigt, wie langfristige Hochtechnologie-Politik funktionieren kann. Das jüngste Beispiel findet sich ein paar Kilometer weiter östlich.

Infineon übernimmt die Leitung und Koordination des europäischen Forschungsprojekts AIMS5.0 (‚Artificial Intelligence in Manufacturing Leading to Sustainability and Industry 5.0‘). Mit Hardware- und Software-basierter Künstlicher Intelligenz soll der Ressourcenverbrauch in der Fertigung gesenkt und die Produktqualität erhöht werden. Das Ziel ist, Resilienz, Lieferkettenoptimierung und Time-to-Market zu verbessern, um die Wettbewerbsfähigkeit des Standorts Europa zu stärken.