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Infineon Technologies hat die CoolSiC MOSFETs 2000V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse neu auf den Markt gebracht. Das Unternehmen bedient damit die Nachfrage nach einer höheren Leistungsdichte. Die Bauteile im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse bieten eine Kriechstrecke von 14 mm und eine Luftstrecke von 5,4 mm. Sie liefern eine Benchmark-Gate-Schwellenspannung von 4,5 V und sind mit einer robusten Body-Diode für harte Kommutierung ausgestattet. Dank der von Infineon entwickelten .XTVerbindungstechnologie sollen sie über eine gute thermische Leitfähigkeit verfügen.

Rohm bietet mit der BM3G0xxMUV-LB-Serie der Marke EcoGAN Leistungsstufen-ICs mit integrierten 650-V GaN-HEMTs und Gate-Treibern. Sie eignen sich für Primärstromversorgungen in Industrie- und Verbraucheranwendungen wie Datenservern und AC-Adaptern und bieten zusätzliche Funktionen und Peripheriekomponenten zur Maximierung der GaN-HEMT-Leistung. Der große Ansteuerbereich (2,5 bis 30 V) gewährleistet die Kompatibilität mit anderen Controller-ICs in Primärstromversorgungen und erleichtert den Ersatz bestehender Silicium-MOSFETs (Super Junction). Dies ermöglicht gleichzeitig die Reduzierung der Abmessungen und der Verlustleistung um 99 % bzw. 55 % und damit einen höheren Wirkungsgrad bei geringerer Baugröße.

Der vorliegende Artikel beleuchtet die neuen Möglichkeiten für die Motorensteuerung, die sich durch Fortschritte bei den MOSFETs auf Basis von Siliciumcarbid (SiC-MOSFETs) eröffnen.

Infineon präsentiert die neuen Siliciumkarbid (SiC)-CoolSiC-MOSFETs 650 V im TO-Leadless- (TOLL) Gehäuse. Sie sind für für Anwendungen wie Stromversorgungen, Server, Infrastrukturen für Telekommunikation, Energiespeichersysteme und Batterieformationslösungen optimiert. Die MOSFETs auf Trench-Basis werden in einem granularen Portfolio angeboten, um unterschiedliche Anwendungen abzudecken. Sie werden im JEDEC-qualifizierten TOLL mit niedriger parasitärer Induktivität geliefert. Das erlaubt eine höhere Schaltfrequenz bei geringeren Schaltverlusten, gutes Wärmemanagement sowie automatisierte Montage.

Infineon Technologies präsentiert eine neue Generation von 1200-V CoolSiC-MOSFETs im TO263-7-Gehäuse für Automotive-Anwendungen. Die Siliciumkarbid-(SiC)-MOSFETs ermöglichen bidirektionales Laden und tragen zur Reduzierung der Systemkosten in On-Board-Charging (OBC)- und DC-DC-Anwendungen bei. Die 1200-V-Variante der CoolSiC-Familie weist im Vergleich zur ersten Generation 25 % geringere Schaltverluste auf. Das ermöglicht höhere Schaltfrequenzen, höhere Leistungsdichte und kleinere Systemgrößen. Mit einer Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) von über 4 V und einem sehr niedrigen Verhältnis zwischen Rückwirkungskapazität (Crss) und Eingangskapazität (Ciss) ermöglicht dies zuverlässiges Abschalten bei VGS = 0 V ohne parasitäre Einschaltvorgänge. Dies lässt unipolare Ansteuerung zu, was die Systemkomplexität und -kosten reduziert. Außerdem verringern sich durch den niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) die Leitungsverluste über den gesamten Temperaturbereich von -55 bis 175 °C.

Die CoolSiC MOSFETs von Infineon nutzen einen optimierten Trench-Halbleiterprozess der geringste Verluste in der Anwendung bei höchster Zuverlässigkeit im Betrieb ermöglicht. Diese MOSFETs in den Spannungsklassen 1700, 1200 und 650 V sowie mit Durchlasswiderständen von 27 bis 1000 mΩ sind für Anwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Batterieladung, Energiespeicherung, Motorantriebe, USV, Hilfsstromversorgungen und SMPS-Schaltungen vorgesehen.

Das neue MOSFET-Relais G3VM-201WR von Omron Electronic Components Europe kombiniert hohe Strombelastbarkeit (200 V / 0,35 A) und einen hohen Umgebungstemperaturbereich mit einer kleinen Montagefläche. Das macht es zu einer hervorragenden Wahl für Test- und Messgeräte. G3VM-201WR ist ein 200-V Ergänzungstyp zum bestehenden MOSFET-Relais-Portfolio des Herstellers. Es bietet ein verbessertes PSON-Design (Small Outline No Lead) mit vier Anschlusspins. Das gewährleistet hohe Wärmeableitung, und die Anschlussform führt zu besseren Lötverbindungen.

Die StrongIRFET 2-Leistungs-MOSFETs in Ausführungen 80 und 100 V sind die neueste Generation dieser MOSFET-Technologie von Infineon. Sie eignen sich für ein breites Spektrum von Anwendungen – sowohl für niedrige als auch hohe Schaltfrequenzen. Die neue Technologie bietet einen um 40 % verbesserten Wert für RDS(on) und eine um über 50 % niedrigere Gate-Ladung (Qg) im Vergleich zu den bisherigen StrongIRFET-Bausteinen. Die höhere Leistungseffizienz sorgt für eine verbesserte Gesamt-Systemleistung.

Um ein neues Leistungsmodul mit Keramik-Substrat aus Aluminiumnitrid (AIN) ergänzt Infineon Technologies seine EasyDUAL CoolSiC MOSFET-Familie.

Ein neues Modell seiner vierten Generation von 600-V-Fast-Body-Diode-MOSFETs der EF-Serie präsentiert Vishay Intertechnology. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH070N60EF bietet im Vergleich zur Vorgängergeneration einen um 29 % geringeren On-Widerstand und eine um 60 % geringere Gate-Ladung. Durch seine hohe Energieeffizienz eignet er sich bestens für Stromversorgungsanwendungen in der Telekommunikation, Industrie und im Computerbereich.