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AT&S treibt Leiterplatten-, Modul- und Packaging-Technologien voran

Vor dem Hintergrund weiterer Miniaturisierung und den Forderungen nach verbesserter Energieeffizienz ist der Leiterplattenhersteller an verschiedenen Forschungs- und Entwicklungsprogrammen beteiligt, aktuell am Horizon 2020 EU Research und Innovation Program, bei dem elf europäische Unternehmen an dem Projekt GaNonCMOS arbeiten. Außerdem beteiligt sich das Unternehmen an dem vom Fraunhofer IZM geführten Panel-Level-Packaging-Konsortium. Optimierte Energieeffizienz mit GaN: Im Rahmen des GaNonCMOS-Projektes will das Konsortium in den nächsten vier Jahren kostengünstige und zuverlässige GaN-basierte Prozesse, Komponenten, Module und Integrationsansätze erarbeiten.

Damit sollen vor allem die Vorteile von GaN hinsichtlich Energieeffizienz genutzt werden. Zielsetzung sind mehrere Demonstratoren mit GaN-Leistungsschaltern und CMOS-Treibern sowie neue magnetische Core-Materialien, womit Schaltfrequenzen bis zu 200 MHz erreicht werden können. Zusammen mit optimierter Embedded-Leiterplatten-Technologie soll die Entwicklung zu neuen integrierten Leistungskomponenten für kostengünstige und zuverlässige Systeme führen. Neben AT&S arbeiten u. a. die Katholische Universität Leuven, Epigan, Fraunhofer und IBM Research am Projekt. Fortschreitende Miniaturisierung
mit Panel-Level-Packaging: Im Panel-Level-Packaging-Konsortium arbeiten internationale Partner wie Intel, ASM Pacific, Hitachi Chemical, AT&S, Unimicron und weitere Partner zusammen. Gemeinsam mit dem Entwicklungsknoten des Fraunhofer IZM soll mit dem Fan-out-Panel-Level-Packaging (FOPLP) einer der neuesten Packagingtrends in der Mikroelektronik umgesetzt werden. FOPLP besitzt dabei ein sehr hohes Miniaturisierungspotential sowohl im Packagevolumen als auch in der Packagedicke. Im Rahmen der zweijährigen Laufzeit sollen die aus dem Wafer-Level-Packaging bekannten Technologiebausteine auf ein großes Panelformat überführt werden. Technologische Basis von FOPLP ist ein rekonfiguriertes, gemoldetes Panel mit eingebetteten Komponenten und einer Dünnfilm-Umverdrahtungslage, die zusammen ein SMD-kompatibles Package ergeben. Die Hauptvorteile des FOPLP sind ein sehr dünnes, substratloses Package, der geringe thermische Widerstand und gute HF-Eigenschaften. In die Umverdrahtungslage können passive Komponenten wie Kapazitäten, Widerstände, Spulen und Antennenstrukturen integriert werden. Damit eignet sich die Technologie auch für den Aufbau von Multichip-Packages und System-in-Packages. Aufgrund der üblichen Panelgrößen im Bereich 610 x 457 mm oder größer lassen sich geringere Packaging-Kosten erzielen.

Bild: AT&S ist an wichtigen Industriekonsortien zur Entwicklung von innovativen GaN-Prozessen und des Panel-Level-Packaging beteiligt (Quelle: AT&S)

www.ats.net

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