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Fünfmilliardsten CMOS-HF-Schalter produziert

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Kurz vor Volumenfertigung: leistungsfähige CMOS-HF-Schalter für 5G-Anforderungen (Bild: infineon)
2008 begann bei der Infineon Technologies AG 2008 die Volumenfertigung der ersten CMOS-Hochfrequenz-(HF)-Schalter. Inzwischen liefert das Unternehmen weit mehr als eine Milliarde HF-CMOS-Schalter pro Jahr an Kunden aus. Seit dem Start sind es nun über 5 Mrd. Stück. Wegen der beginnenden 5G-Mobilfunk-Ära findet das Portfolio von Infineon aktuell hohes Interesse. „Infineon ist ein bevorzugter Lieferant für OEMs und Chipsatz-Anbieter“, sagte Philipp von Schierstädt, Vice President und General Manager für Radio Frequency Systems bei Infineon. „Die hohe Marktakzeptanz unterstreicht unser tiefgreifendes Systemverständnis für HF-Front-Ends.“ Die in hohen Stückzahlen ausgelieferten CMOS-ICs bieten zahlreiche Integrationsvorteile.
Seit Einführung von Halbleiterlösungen in den 1960er Jahren gibt es HF-Schalter in zwei Kategorien: elektromechanische Schalter (MEMS) und Halbleiterschalter. Aufgrund der relativ langsamen Schaltgeschwindigkeiten, der beschränkten Wiederholgenauigkeit und Zuverlässigkeit scheiden MEMS für zukünftige 5G-Anwendungen aus. Mittlerweile ermöglichen Fortschritte bei der Forschung weitere Optionen für die Halbleiterlösungen. Im Vergleich zu Gallium-Arsenid (GaAs) und Gallium-Nitrit (GaN) bietet die Transistor-zu-Transistor-Logik auf CMOS-Basis die bestmögliche Integration. Dies erlaubt platzsparende Designs auf den Leiterplatten. Denn im Gegensatz zu den anderen Alternativen benötigen die CMOS-Lösungen keinen zusätzlichen Oxid-Layer und kein spezielles Material für die Waferverarbeitung. Das reduziert die Kosten.
Aufgrund der kommenden 5G-Telekommunikation stehen OEMs und OMDs neben der allgemeinen Industriedynamik weiteren Herausforderungen gegenüber. Die Spezifikation verfügbarer Muster einer neuen Generation leistungsfähiger CMOS-HF-Schalter ist Infineons Antwort. Die Volumenfertigung der neuen Bauelemente BGSX22G5A10 und BGSX33MA16 für das Antennen-Swapping soll im im Spätsommer 2018 beginnen. 

www.infineon.com/rfswitches

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