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Freitag, 13 November 2020 07:59

Sintertechnologie – Ein Überblick – Teil 1

von Hans-Jürgen Albrecht
Geschätzte Lesezeit: 10 - 20 Minuten
Abb. 1: Integrated Power Modules [1] Abb. 1: Integrated Power Modules [1]

Der nachfolgende Beitrag gibt einen Überblick über in der Elektronikfertigung eingesetzte Fügeverfahren aus dem Technologiebereich Sintern. Sie werden bei Licht (LED und andere), Healthcare, in der Industrie-Elektronik, der Automobil-Elektronik und der Leistungselektronik eingesetzt. Der Beitrag erläutert in Teil 1 den Sinterprozess an sich und einige Anwendungsbeispiele. Teil 2 geht näher auf Technologievarianten ein.

The following article provides an overview of joining processes from the technology area of sintering used in electronics production. They are used in lighting (LEDs and others), healthcare, industrial electronics, automotive electronics and power electronics. Part 1 of the article explains the sintering process itself and some application examples. Part 2 goes into more detail about technology variants.

Einleitung

Die Sintertechnologie ist ein Fügeverfahren insbesondere für die Gebiete Ligthing, Healthcare, Industry, Automotive und Power Electronics [45]. Hierbei wird unter Ausnutzung der Miniaturisierung der Fügewerkstoffe z. B. Silber und Kupfer und/oder Stoffgemische bzw. metallisierter Keramik- und metallischer, beschichteter Partikel die Wiederaufschmelzcharakteristik zu höheren Temperaturen verschoben. Damit eignen sich Sinterverbindungen für Hochtemperaturanwendungen oben stehender Applikationsbereiche. In folgender Abhandlung wird versucht, einen Überblick über Technologievarianten und Werkstoffvarianten für die Sintertechnik zu geben. Die Auswertung internationaler Tagungen und Konferenzen steht hierbei im Mittelpunkt – sie sind nachfolgend aufgeführt:

  • ECTC 2017 67th Electronic Components and Technology Conference
  • ECTC 2018 68th Electronic Components and Technology Conference
  • ECTC 2019 69th Electronic Components and Technology Conference
  • EMPC 2017, European Microelectronics and Packaging Conference
  • EMPC 2019 European Microelectronics and Packaging Conference
  • ECPE Workshop 2019, ECPE Workshop Advanced Power Packaging – Power Modules 2.0
  • CIPS 2018 10th International Conference on Integrated Power Electronics Systems
  • ESIME 2018 19th Annual International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems
  • ESIME 2019 20th Annual International Conference on Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems
  • IMAPS 2019 European Mircoelectronics and Packaging Conference
  • PCIM 2017 Internationale Fachmesse und Konferenz für Leistungselektronik, Intelligente Antriebstechnik, Erneuerbare Energie und Energiemanagement
  • PCIM 2019 Internationale Fachmesse und Konferenz für Leistungselektronik, Intelligente Antriebstechnik, Erneuerbare Energie und Energiemanagement
  • EBL 2018 Elektronische Bauelemente und Leiterplatten
  • ESTC 2018 7th Electronic System-Integration Technology Conference.

Die nachfolgenden erkennbaren Trends für Hochtemperaturverbindungen werden in diesem Artikel näher betrachtet und ausgewertet.

Sintertechnologie

In Abbildung 1 sind Einflussgrößen auf den Sinterprozess dargestellt. Hier wurde in [1] ein sehr guter Überblick über Technologie- und Prozessgrößen publiziert. Für integrierte Powermodule werden hier die design limits bezüglich electrical, thermal, manufacturing, mechanical und system integration diskutiert. Darauf aufbauend werden die Materialien und Aufbautechnologien vorgestellt die am Ende die Lifetime ergeben bzw. beeinflussen. Mission profile und Operating Conditions sind die Ausgangspunkte kalkulierbarer Technologievarianten. Beispiele der Power Module sind in Abbildung 1.1 dargestellt.

plus 2020 10 ft 01 1Abb. 1.1: Power Modules [45]

Die Varianten der Technologieapplikation für Hochtemperaturverbindungen werden in [2] vorgestellt und sind in Abbildung 2 visualisiert. Neben der etablierten Löttechnologie werden Diffusionslöten, Presskontakte und Sintertechnologie beschrieben. Im Rahmen der Sintertechnologie werden die low temperature Sintertechnik unter Druck und drucklos in den Mittelpunkt gerückt, wobei die low temperature Sintertechnik zu definieren ist (siehe Abb. 3).

plus 2020 10 ft 02Abb. 2: Chip-Verbindungstechniken (Die Interconnection) für Power Module [2]

Die Sintertechnikapplikation wird für das Ag-Sintern (SiC, GaN) als auch das Cu-Sintern entwickelt und angewendet. Die verfahrenstechnischen Besonderheiten werden insbesondere durch die Anwendung inerter bzw. Schutzgasanwendungen zu analysieren sein. Um SiC/GaN sicher mit dem Substrat zu verbinden, müssen die Die-bonding Materialien höhere Temperaturen im Environment und exzellente Wärme- und leitende Eigenschaften haben, um die Zuverlässigkeitsanforderungen zu erfüllen.

plus 2020 10 ft 03 1

plus 2020 10 ft 03 2

plus 2020 10 ft 03 3Abb. 3: Prozessparameter Ag- und Cu-Sintern [3–43, 64, 65,79]

Einen Überblick über die Technologie- und Prozessvariablen vermittelt nachfolgende Darstellung. Hier werden die Kenngrößen Vorheizung, Temperatur, Druck und Sinterzeit, Sinter-Atmosphäre sowie Scherfestigkeit (soweit angegeben) dargestellt. Auffällig ist auch die Tatsache, dass dem Nano-Pulver keine Bedeutung mehr beigemessen wird. Die Variable Sinterdruck muss vereinheitlicht werden (Standardisierung), um Vergleiche der unterschiedlichen Ausführungsformen durchführen zu können. SiC Module können z. B. 1000 Zyklen zwischen -4o/+250 gewährleisten. SiC module können angewendet werden für unkonventionelle, weit thermische Temperaturzyklen, wenn der Koeffizient der thermischen Ausdehnung und der E-Modul zwischen den unterschiedlichen Materialien in Relation gebracht werden.

Insgesamt ist die Varianz der Parameter ein Hinweis auf die Entwicklungsstadien der Ag- als auch der Cu-Sintertechnologie. Die Akzeptanzkriterien der Technologien werden über die Scherfestigkeit festzulegen sein. Hierfür sind einheitliche Vorgaben von Bedeutung.

plus 2020 10 ft 04Abb. 4: ECPE Working Group [44]Erkennbar ist die Tatsache, dass nano Ag und nano Cu keine Schwerpunkte der technologischen Variation mehr sind. Weiterhin ist ableitbar, dass die Prozesstemperaturen im moderaten Bereich liegen, hier aber die Warpage-Eigenschaften der Fügeteile beachtet werden müssen, um mechanische Spannungen im Modulaufbau zu minimieren. Der Übergang vom Ag-Sintern zum Cu-Sintern ist mit dem Atmosphärenwechsel von Stickstoff zu Wasserstoff gekennzeichnet. Insgesamt gesehen sind die Parameter Sinterdruck, Sinterzeit und Sintertemperatur sehr uneinheitlich und hier drängt sich die Frage nach einer Standardisierung auf, da ansonsten publizierte Daten zur Power Cycle-Festigkeit und damit zur Modulzuverlässigkeit schwer zu vergleichen sind. Die Fragen der Standardisierung der Prozesse, der Prozessparameter und der Testverfahren zur Diagnostik der Modulzuverlässigkeit setzen eine nationale und internationale Zusammenarbeit voraus, wie sie auch bei der Surface Mount Technology heute Standard ist. Die Merkmale einer nicht abgeschlossenen Standardisierung kommen auch in den Prüf- und Testverfahren zum Ausdruck (Abb. 6). In [44] werden die Aktivitäten zur Standardisierung im Automotive-Bereich vorgestellt (Abb. 4 und 5).

High Temperatur Storage

  • 150 °C, 500 h
  • 155 °C, 1000 h
  • 200 °C, 1000 h, 3000 h
  • >= 200 °C
  • 25 °C to 250 °C
  • 250 °C, 4 h, 250 h, 1000 h
  • <= 300 °C
  • 300 °C, 96 h, 512 h,

 

 plus 2020 10 ft 05 1Abb. 5: Robustness Validation im...

 plus 2020 10 ft 05 2...Automotive-Bereich [44]

 

Die angewandten Temperaturen sind sehr uneinheitlich. Deutlich ist jedoch, dass die maximalen Temperaturen den Anforderungen an die Hochtemperaturmodule folgen. Wichtig ist in diesem Zusammhang das die thermische Beständigkeit der Modulwerkstoffe neuen Anforderungen gerecht werden müssen. Hier ist im wesentlichen ableitbar, das den thermomechanischen Eigenschaften eine besondere Bedeutung zukommt. Insbesondere die Bestrebungen der Weiterentwicklung der Substratwerkstoffe sind hier erkennbar [67–75].

 

TCT -65/+150, 500cycles, HTS 175°C 1000h

Yao, ECTC 2018

HTS 175 °C / 200 °C

Cho, ECTC 2018

TCT -40/+150, 2500cycles

Zhao, ECTC 2018

TCT -65/+150, 500cycles, AEC-Q100; HTS 300°C, 50-2000h

Yang, ECTC 2018

TCT, HTS

Chew, ECTC 2018

HTS 245, 273, 287°C; 72h, 336h

Chiu, ECTC 2018

MIL-STD 883H, method 2019.8

Fu, ECTC 2018

HTS 175 °C, 1000h; TCT-40/+175, 1500cycles

Guyneot, ECTC 2018

TCT-40/150, 250cycles

Schiffmacher, ECTC 2019

TCT-40/200, 1000cycles

Liu, ECTC 2019

TCT-50/200, 1000cycles; HTS 250 °C, 500h

Tang, ECTC 2019

TCT-40/150, tdwell=1h to150 °C, transition 30sec to -40

Nijay, ECTC 2019

H3TRB, silicone potted Al2O3, dried 48h, 100 °C, followed by 85/85

Kolbinger, ECTC 2019

TCT-40/150

Sokolov, ESIME 2018

Thermo-mechanical non-linear FEM, 5 thermal cycles; elasticity, plasticity, CTE

Solokov, ESIME 2018

Active and passive heating and cooling

Kashko, ESIME 2018

Look-in-thermography (hot spots in power devices)

Vellvehi, ESIME 2018

Cyclic cohesive zone model

Springer, ESIME 2018

Multi-scale modelling Silvaco and Dmol3 software

Zheng, ESIME 2018

Power cycling

Jiang, ESIME 2018

Power cycling; electro-thermo-mechanical model

Jiang, ESIME 2018

Power cycling +30/+180, 600.000cycles (LV124, LV324 for power electonics)

Guyneot, ESIME 2018

FEM modelling of porosity in Ag sinter layer; 300 °C for 2000h

Huang, ESIME 2018

Power cycling deltaT 80K, Tmin40°C, Tmax120°C

 

Wagner, ESIME 2019

 

TCT -40/+175, 1500 cycles (PCB benzoxazin)

Ratchev, EBL 2018

TCT +20 / +230 °C, 20cycles

 

Kokash, ECTC 2017

 

HTS 200 °C, 750h

Mavinkurve, ECTC 2017

Power Cycling Test deltaT 140 °C, HTS 200 °C

Feisst, ECTC 2017

HTS 175 °C, 3000h; TCT-50/150 °C, 2000cycles, JESD22-A104

Ueta, ECTC 2017

Power Cycling Test PCT3

Hutzler, ECTC 2014

TST -40/+175, -40/+200; 500 cycles

Möller, ECTC 2014

TST -50/+150, 2000cycles

Zhang, ECTC 2014

TCT -40/+200 and -55/+250

Xu, ECTC 2013

TCT-40/+200 °C at strain rates between 10exp-5 and 10exp-2 1/s.

Herboth, ECTC 2019

TCT -40/+180; -40/+250, 750 (1000) cycles, (TSE11-A-S, ESPEC Corp.)

Sakamoto, ECTC 2013

Abb. 6: Test-und Prüfverfahren für Sinterverbindungen in Power Modulen

 

Temperature Cycle Test

  • +25/+250 °C
  • -55/+90 (9300 cycles), 10 min each
  • -40/+125, 1000 cycles
  • -5/+200, 30 min each
  • -55 °C/+150 °C, 1000 cycles
  • -55 °C/+230 °C
  • -40/+200 °C, 1000 cycles, 30 min each, 2000 cycles
  • -40 °C/+250 °C, 1000 cycles
  • -55 °C/+195, 1 min dwell
  • > 300 °C
  • 350 °C

Die Testbedingungen folgen den Anforderungen an die Hochtemperaturmodule, wenngleich die Prüfbedingungen sehr unterschiedlichen Anforderungen entsprechen. Die höchste Prüfschärfe mit -55 °C/+230 °C zeigt hier eindeutig, dass die erweiterten thermischen Anforderungen an den Modulaufbau entscheidend sind für eine entsprechende technische Zuverlässigkeit. Nicht in jedem Fall ist die Angabe Temperaturschock oder Temperaturwechsel angegeben, jedoch für die Ergebnisse der zyklischen Beständigkeit notwendig.

Power Cycle Test

  • Power Cycle Test
  • deltaT 100K, 72 000 cycles, no-pressure sintering
  • deltaT 130K, ton 1s
  • 1500A, ton 15s, toff 15s
  • deltaT 120K, 200 000 cycles
  • deltaT 155K
  • deltaT 165K
  • deltaT 170K
  • deltaT 130K
  • deltaT 225K, 165 000 cycles, 200 000 cycles
  • 180 000 cycles, ton 2s, toff 5s
  • deltaT 100K, 17 000 cycles, 1 000 000 cycles

Ähnlich den Temperaturwechselversuchen ist auch bei den Powerzykeltests eine nicht gegebene Übereinstimmung vorhanden. Delta T-Werte von bis zu 225 K zeigen auch hier die Notwendigkeit der angepassten Modulaufbauten. Bis zu 1 000 000 Zyklen beim deltaT von 100 K werden beschrieben.

Toperating

  • 250 °C
  • 175 °C, 1000 A
  • 220 °C
  • 250 °C
  • >=250 °C

Tjmax

  • 250 °C
  • 100 °C
  • 175 °C, 800 A to 1000 A
  • 200 °C
  • >200 °C
  • 230 °C
  • 220 °C
  • 250 °C
  • >=250 °C
  • deltaTj 100 K , heating, cooling 120 s
  • High Humidity Test
  • 1000 h, 85/85
  • 500 h, 85/85

Der High Humidity Test entspricht den Prüfbedingungen der löttechnischen Module und dient auch hier der Analyse der korrosiven Beständigkeit [76], beeinflusst durch die Varianz der Modulwerkstoffe. Ergebnisse der korrosiven Eigenschaften der Power Modul werden aus [76] in Tabelle 1 dargestellt.

 

 

Substrate technology

Insulating dielectric material

Metali-zation

Coating of the metali-zation

Optional dendritic growth and time for different fluids

Tap water

Deionized water

Di water with H2SO4

Di water with HCI

1

DBC

AlN

Cu

-

Yes, > 11min

Yes, > 5 min

Yes, > 3 min

Yes, > 1 min

2

DBC

Al2O3

Cu

-

Yes, > 10 min

Yes, > 5 min

Yes, ~ 1 min

Yes, ~ 1 min

3

DBC

AlN

Cu

Ag

Yes, > 1 min

Yes, > 3 min

Yes, ~ 1 min

Yes, > 1 min

4

DBC

Al2O3

Cu

Ag

Yes, > 4 min

Yes

Yes, ~ 1 min

Yes, ~ 1 min

5

DBC

AlN

Cu

Au

No

No

Yes

No

6

AlSi soldered

Al2O3

Al

Ni

No

No

No, but surface corrosion

No, but surface corrosion

7

IMS

Al2O3 filled expoxy

Cu

Ag

Yes

Yes

Yes, ~ 1 min

Yes, ~ 1 min

8

DBA direct casting

AlN

Al

Ni

No, but surface corrosion

No, but surface corrosion

No, but surface corrosion

No, but surface corrosion

9

AMB CuAgTi solder

Si3N4

Cu

Ni

No, but surface corrosion

No

Yes, > 4 min

Yes, > 2 min

Tab. 1: DCB, DBA, AMB und IMS-Substrate mit entsprechenden Korrosionskennzahlen [76]

 

Industry Standard Tests – Reliability

Nachfolgend werden die Prüfbedingungen (TCT, HTS, H3TRB, Zyklenzahlen bzw. Stunden) resultierend aus der Recherche gelistet. Die kritischste Prüfbedingung mit -55/+250 verdeutlicht nochmals die Bedeutung der Funktionswerkstoffe im Modulaufbau. Alle nachfolgend aufgeführten TCT-Bedingungen sind sehr unterschiedlich im deltaT der Absoluttemperatur. Eine Standardisierung scheitert mehr wegen der Tatsache, dass die Module mit sehr unterschiedlichen Funktionswerkstoffen ausgerüstet sind.

Im Sinne der Vergleichbarkeit erreichter Parameter der Prüfschärfen ist hier unbedingt eine Vereinheitlichung der Testparameter vonnöten, um zu Industriestandards zu kommen.

Cu-Sintertechnologie

plus 2020 10 ft 07Abb. 7: Cu-Sintertechnologie[49]Die Technologie des Cu-Sinterns ist gleichwertig zu der Ag-Sintertechnik zu sehen [66] (Abb. 7 [49]). Unterschiede entstehen in der Wahl der Atmosphäre der Sintertechnik. Weitere Integrationstechnologien für Power Module werden im Bereich des Chip-Embedding [47, 51–57, 66] und der Multilayertechnologie [48, 50, 58, 62, 63] vorgestellt. Nachfolgend einige Kernmerkmale der Technologievariationen [46, 47]. Angaben zur Porosität in Abhängigkeit des Sinterdruckes, der Sintertemperatur und der Sinteratmosphäre werden in [48] benannt (Abb. 8). Hier sind low pressure Verbindungen miteinander verglichen. Inwieweit das low pressure Sintering sich für die C-Sinterverbindungen durchsetzt, ist von der Porosität und den erreichbaren Scherfestigkeiten abhängig (Abb. 9). Hier ist der Wasserstoffgehalt in der Stickstoffatmosphäre ein Parameter bei der Angabe der Scherfestigkeiten.

Chip-Embedding

Die embedding Technologie gehört zu den innovativen Chip-Mounting Technologien für Power Module. Die Chip-embedding Technologie hat ein großes Potenzial in Bezug auf Kosten, elektrische Performance, Kompaktheit und Zuverlässigkeit. Den Grad der Miniaturisierung ist eine konstante Forderung im Mikroelektronik-Packaging. Dieser trifft auch für das Gebiet der Power Module zu, wo speziell SiPs einen Modultyp mit hohen Variablen in der Packaging Technologie darstellen. Die Integration von Komponenten in das Leiterplattenmaterial (bekannt als PCB-Embeddeing) besitzt enorme Vorteile in der Herstellung und Verbindungstechnik von Power Modulen und hat große Vorteile unter verschiedenen Aspekten. Zuerst, die PCB-Embedding Technologie und die dicken Cu-Substrate erhöhen die thermische Performance, zweitens die Package-Konstruktion führt zu kleineren Package Parasitäten. Konsequenterweise werden auch die Schaltverluste reduziert. Dies in Kombination mit kleinerer therischen Impedanz erhöht die Leistungsdichte auf Systemlevel. Mehr noch hat diese Technologie das Potenzial einer kosteneffektiven Fertigung mit Fähigkeiten auf PCB Board Level.

plus 2020 10 ft 08Abb. 8: Porosität der Cu-Sinterverbindungen [49]

plus 2020 10 ft 09Abb. 9: Die-Scherfestigkeit von Cu-Sinterverbindungen auf verschiedenen Metallisierungen der Substrate [49]

Bezüglich der steigenden Anforderungen an die Miniaturisierung, erhöht sich die Verlustleistungsdichte, welche das thermische Management schwieriger gestaltet. Ein Weg der Minimierung des Einflusses ist das PCB embedding der Halbleiter. Dieser Ansatz führt zu kürzeren thermischen Pfaden vom Halbleiter zum Kühlkörper im Vergleich zu der etablierten DCB Modul Technologie. Die Herstellung von embedded Modulen mit etablierten embedding Prozessen führt zur Fähigkeit der dielektrischen Kühlung. Das PCB embedded package in Abbildung 10, hat eine Größe von 10 x 10 mm [77] und basiert auf der ECPTM-Technologie von AT&S. Das X-Ray-Bild (Abb. 10b) zeigt das Layout. Micro-Vias sind hier verwendet als Zwischenverbindungstechnologie zwischen Chip-Metallisierung und den Cu-Schichten auf der Top- und Bottomseite.

 

plus 2020 10 ft 10 1Abb. 10: Schematischer Aufbau und PCB embedded Power Device (The semiconductors are mounted onto a thick copper leadframe, which is embed-ded into a PCB by adhesive bonding) [59, 77] 

 plus 2020 10 ft 10 2Quelle: Hitachi Chemical Co, Ltd. 2019

 

Die Micro-Vias werden verwendet für die elektrische als auch thermische Anbindung.Weiterhin können die Through-Vias auch für die Verbindung zwischen der Top- und Bottomseite von ca. 3.5 K/W und einen thermischen Widerstand von ca.17 K/W auf der Top-Seite [77] verwendet werden. Die PCB embedding Technologie setzt voraus, dass das Substratmaterial aus der Sicht des CTE in einem guten Verhältnis zum Halbleiter steht [61], um lokalen Stress zu reduzieren. Hier gibt es Bestrebungen, neuartige Substrate zu entwickeln und zu applizieren [60].

plus 2020 10 ft 11Abb. 11: Planare Packaging Technologie [47]

Ausblick

Teil 2 dieses Beitrags wird in der PLUS 11/2020 erscheinen und sich mit Fragen zu Technologievarianten, der Test- und Prüfphilosophie, non-destructive Testing, FEM-Simulationen zum CTE-Matching, den Ergebnissen des Power Cycling und der Zuverlässigkeitsbetrachtung unter den beschleunigten Tests beschäftigen.

Präzisiert erläutert werden in Teil 2 die folgenden Schwerpunkte, die als Technologievarianten und Einflussgrößen identifiziert wurden im Bereich ‚Materials for Technology for Power Electronics‘:

  • plus 2020 10 ft 12Abb. 12: PCB embedded Chip-Montage [1]Directional Solidification of Soldered Power Modules
  • Ag sintering
  • Die Transfer Film
  • Ultrasonic Assisted Sintering
  • Laser Assisted Sintering
  • Infrared Assisted Sintering
  • Die Top System
  • Cu Sintering
  • TLP Bonding
  • SLID Bonding
  • Embedded Power Electronics
  • Additive Manufacturing of Power Electronics
  • Direct Pressed Die Technology
  • Wafer Level 3D Power Integration
  • Bond Buffer
  • Substrates
  • Plasma Coating
  • Stacked Ceramics / Modules
  • Cooling
  • Electrochemical Corrosion
  • Non-destructive Testing
  • Power Cycling
  • H3TRB Test
  • Transient Thermal Analysis
  • Encapsulation
  • Ribbon Bonding
  • Lifetime Ceramic Capacitor
  • FEM for Power Electronics
  • Tests Sinter Interconnects
  • Industry Standard Tests-Reliability

www.avt.et.tu-dresden.de, www.budatec.de

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[58] Bach: Vias in DBC Substrates for Embedded Power Modules CIPS 2018

[59] Reiner: PCB-Embedding for GaN-on-Si Power Devices and ICs CIPS 2018

[60] Mitamura: A transfer-molded high temperature SiC power module withstanding up to 250 °C CIPS 2018

[61] Müller: Selective Silver Sintering on Organic-Based Circuit Boards PCIM 2019

[62] Mouawad: On the reliability of stacked metallized ceramic substrates under ther-mal cycling CIPS 2018

[63] Welker: Power System in Package based on Multilayer Ceramic Substrates ECPE 2019

[64] Chew:Silver sinter paste optimized for pressure sintering under air atmosphere on precious and non-precious metal surfaces with high reliable sintered joints CIPS 2018

[65] Chew: Direct bonding to aluminum and nickel surfaces by pressure silver sintering PCIM 2019

[66] Bhogaraju: Hybrid Cu particle paste with surface-modified particles for high temperature packaging EMPC 2019

[67] Bach: Ceramic Embedding Technologies for High Temperature Power Electronics ECPE 2019

[68] Abe: Dielectric Properties and Partial Discharge Inception Voltage of Aluminum Nitride Insulating Substrate at High Temperatures CIPS 2018

[69] Mitamura: A transfer-molded high temperature SiC power module withstanding up to 250 °C CIPS 2018

[70] Johnson:10 kV SiC Power Module Packaging CIPS 2018

[71] Welker: On the Thermal Performance of Si3N4-Based Ceramic Multilayer Substrates PCIM 2019

[72] Kwak: The thermal and mechanical properties of reinforced AlN with metal bonding types PCIM 2019

[73] Müller: Selective Silver Sintering on Organic-Based Circuit Boards PCIM 2019

[74] Liu: High temperature wireless packaging of SiC power device by organic-free die-attach material sintering PCIM 2019

[75] Bao Ngoc: A Novel Double Sided Cooled Leadframe Power Module for Automotive Application based on ceramic-free Substrates CIPS 2018

[76] Bayer: Electrochemical Corrosion on Ceramic Substrates for PowerElectronics – Causes, Phenomenological Description, and Outlook CIPS 2018

[77] Schnur: Design and Fabrication of PCB Embedded Power Module with Integrated Heat Exchanger for Dielectric Coolant CIPS 2018

[78] Mitamura: A transfer-molded high temperature SiC power module withstanding up to 250 °C CIPS 2018

[79] Takemasa: A transfer-molded high temperature SiC power module withstanding up to 250 °C CIPS 2018

Weitere Informationen

  • Ausgabe: 10
  • Jahr: 2020
  • Autoren: Hans-Jürgen Albrecht, TU Dresden, IAVT; Dirk Busse, Alexander Dahlbüdding, beide budatec GmbH, Berlin

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