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Mittwoch, 11 August 2021 11:59

Russlands Elektronikstrategie bis 2030 - Teil 2

von
Geschätzte Lesezeit: 10 - 19 Minuten

Am Ende von Teil 1 dieses Beitrags wurde die dreigliedrige Struktur der Elektronikindustrie Russlands samt deren Anteil am Branchenumsatz bereits angesprochen.

Die Organisationen mit staatlicher Beteiligung bestehen vorwiegend aus Großunternehmen (teils Nachfolger der sowjetischen Großbetriebe), während die Organisationen mit privatem russischem Kapital meist nach 1992 gegründete KMU sind.Abb. 5: Mikron ist eines der wichtigsten russischen Mikroelektronik-Unternehmen mit einem großen Produktportfolio Abb. 5: Mikron ist eines der wichtigsten russischen Mikroelektronik-Unternehmen mit einem großen Produktportfolio

In der Mikroelektronik sind 10 Organisationen tätig, die die Massenproduktion von Mikroelektronik betreiben (Abb. 5). Hinzu kommen etwa 65 Designzentren für den Entwurf der Schaltkreise. Daneben gibt es ca. 90 Hersteller passiver Bauteile. Tabelle 3 enthält einige ausgewählte Informationen, die den ökonomischen Zustand der Elektronikindustrie im Jahr 2018 verdeutlichen. Führt man die fragmentarischen Angaben von Tabelle 2 und 3 zusammen, kann angenommen werden, dass der Gesamtmarkt für Elektronik (Eigenproduktion und Importe) gegenwärtig eine Größe um 50 Mrd. $ oder mehr hat und dass der Importwert von Elektronik bei ca. 25 Mrd. $ liegt. Der staatliche Teil (der militärisch-industrielle Komplex eingeschlossen) könnte dann Elektronik im Wert von etwa 10 Mrd. $ produziert haben. Da nichts über die Aufteilung der Importe auf die Wirtschaftsbereiche bekannt ist, kann nur spekuliert werden, dass auf den militärisch-industriellen Komplex möglicherweise (Eigenproduktion + Importe) 20 bis 25 Mrd. $ entfallen. Das würde etwa die Hälfte des nationalen Gesamtmarktes für Elektronik bedeuten und wäre im Vergleich zu anderen, Elektronik-produzierenden Ländern ein gravierendes Missverhältnis. Daraus lässt sich ableiten, dass die Versorgung der staatlichen Organisationen mit dem eingeschlossenen militärisch-industriellen Komplex den russischen Elektronikmarkt bisher absolut ,regiert'.

Tab. 3: Kennwerte für den Zustand der russischen Elektronikindustrie im Jahr 2018

Kennwert

Größe

Anteil der Elektronikindustrie am Bruttoinlandsprodukt Russlands

1,8%

Wertschöpfung

60–80%

Produktionswert der Branche

1868 Mio. Rubel

(ca. 25 Mrd. USD)

Anteil der Elektronikproduktion ziviler russischer Organisationen der Branche am Gesamtvolumen des nationalen Elektronikmarktes (gemessen am Umsatz)

31 %

Anteil der Elektronikproduktion aller russischer Organisationen der Branche am Gesamtvolumen des nationalen Elektronikmarktes (gemessen am Umsatz)

50,8 %

Produktionsleistung pro Mitarbeiter

4,8 Mill. Rubel

(ca. 64000 USD)

Exportvolumen russischer Elektronikprodukte (Steigerung um das 4,4-fache gegenüber 2008)

4160 Mio. USD

Anteil der russischen Elektronikproduktion an der Weltproduktion

ca. 0,4 %

Anstieg der Arbeitsproduktivität des Produktionspersonals 2008–2018

4,3-fach

Anstieg des Branchenumsatzes 2008–2018

5,6-fach

Gesamtzahl der Beschäftigten in der Branche

ca. 290000

Durchschnittsalter der Arbeitnehmer (bei geringem Anteil von Fachkräften mittleren Alters)

45–50 Jahre

Mit 0,4 % ist der Anteil der russischen Elektronikproduktion an der Weltproduktion verschwindend gering, mit 1,8 % aber auch der Anteil der Elektronikindustrie am BIP Russlands. Eine Grundforderung der neuen Strategie lautet deshalb, den Anteil am BIP bis 2030 auf 3 bis 3,8 % und den Export mit geeigneten Erzeugnissen um einen Faktor von ca. 2,5 zu vergrößern.

Tab. 4: Verbrauchsstruktur von Mikroelektronik nach Einsatzbereichen in Russland

Einsatzbereich

Anteil (%)

Militär- und Luftfahrtelektronik

45

Energie- und Medizintechnik

32

Konsumelektronik

11

Speicherkarten, RFID-Tags

5

Servertechnik u. ä.

3

IoT

2

Kfz-Elektronik

1

Telekom

1

Tabelle 4 bestätigt noch einmal das Dominanzproblem der Organisationen mit staatlicher Beteiligung, dieses Mal im Sektor Mikroelektronik. Der auf Eigenkapital basierende Teil der privaten russischen Wirtschaft ist deutlich unterrepräsentiert. Das führt dazu, dass beinahe die Hälfte (45 %) der im Land verarbeiteten Mikroelektronik von der Luftfahrt- und Militärbranche beansprucht wird, was das Land aus Sicht von Sanktionen sehr verletzbar macht.

Technologische Problemzonen

Im Abschnitt II des Dokumentes wird eine kritische Bestandsaufnahme des gegenwärtigen Zustands der russischen Elektronikindustrie vorgenommen. Es wird unterstrichen, dass ihr Hauptproblem der Mangel an modernen Produktionsausrüstungen sowie dazugehöriger Steuerungs-, Mess- und Prüftechnik aus eigener Produktion ist. Dieser Mangel wirkt sich negativ auf Entwicklung und Produktion wettbewerbsfähiger High-Tech-Elektronikprodukte aus (Abb. 6). Es gibt Probleme, die Industrie mit bestimmten Arten von Halbleitermaterialien, epitaktischen Strukturen, speziellen Verbrauchsmaterialien, CAD/CAM-Werkzeugen russischer Herkunft, Systemsoftware und Datenbank-Verwaltungssystemen zu versorgen.Abb. 6: Der Prozessor der russischen Firma Elvis wird in der taiwanesischen Foundry TSMC gefertigt Abb. 6: Der Prozessor der russischen Firma Elvis wird in der taiwanesischen Foundry TSMC gefertigt

Die seit mehr als 20 Jahren etablierte Praxis, die finanziellen Ressourcen auf den Kauf von hauptsächlich im Ausland hergestellten Ausrüstungen und Softwaretools zu konzentrieren, wird für die neuen Zielstellungen der Strategie als ungeeignet eingestuft. Der Einsatz automatisierter Steuerungs- und Überwachungssysteme für technologische Prozesse erfolgt bisher nur fragmentarisch, die Anwendung von Informationstechnologien ohne Kommunikation mit den technologischen Ausrüstungen sei nicht effektiv genug. Die bisher oft im Rahmen der Importsubstitution praktizierte Kleinserienproduktion vieler Elektronikerzeugnisse hauptsächlich für Verteidigungs- und Sicherheitsbelange des Staates hemmt die Einführung neuer Technologien und Konstruktionslösungen. Sie macht es in einigen Fällen unmöglich, eine kostengünstige Produktion zu realisieren, weil die von den russischen Kunden abgenommenen Stückzahlen wegen der Importe zu klein sind.

Makroziele der Strategie

Nachdem im Abschnitt III des Strategiepapiers die Basismärkte der russischen Elektronikindustrie (klassische und neu zu erschließende) skizziert und im Abschnitt IV die Grundaufgaben der neuen Strategie für das Land definiert wurden, befasst sich Abschnitt V konkret mit den Zielen, Vorgaben, Prioritäten und Zielindikatoren für die Umsetzung der Strategie.

Tab. 5: Kennwerte aus der Strategie Russlands zur Entwicklung der nationalen Elektronikindustrie bis 2030 [5]

Kennwert

Wert 2018

Szenarium

Jahr

2021

2022

2023

2025

2030

Produktionswert der Firmen und Wissenschaftsorganisationen der Elektronikindustrie (Mrd. Rubel)

1868

K

Z

I

2400

2460

2470

2630

2710

2730

2870

2970

3010

3315

3490

3550

4370

5220

5590

Anteil des Absatzes russischer Elektronikprodukte am BIP des Landes (%)

1,8

K

Z

I

2,2

2,2

2,2

2,3

2,4

2,4

2,4

2,5

2,6

2,6

2,8

2,8

3

3,5

3,8

Anteil ziviler Produkte am Gesamtvolumen der Industrieproduktion (nach Umsatz) (%)

50,3

K

Z

I

56,6

57,5

57,7

59,5

60,7

61,0

62,5

64

64,4

67,8

70

70,7

79,5

87,9

91,2

Anteil ziviler elektronischer Produkte, die von russischen Organisationen der Elektronikindustrie hergestellt werden, am Gesamtumsatz des Elektronik-Binnenmarktes (%)

31

K

Z

I

35,3

37

37,2

37,5

39,6

40,1

39,5

42,2

42,9

42

45,8

46,8

42,7

57,4

63,3

Anteil der von russischen Organisationen der Elektronikindustrie insgesamt hergestellten Elektronikpro-dukte am Gesamtumsatz des Elektronik-Binnenmarktes (%)

50,8

K

Z

I

53

54

54,3

53,9

55,4

55,9

54,7

56,7

57,3

54,6

57,4

58,4

49,5

59,1

63,3

Produktion pro Mitarbeiter in der Elektronikindustrie (Mill. Rubel)

4,8

K

Z

I

6,1

6,2

6,2

6,6

6,8

6,8

7,2

7,4

7,5

8,2

8,6

8,8

10,5

12,5

13,4

Exportvolumen russischer Elektronikprodukte (Mio. USD)

4160

K

Z

I

5190

5340

5490

5660

5870

6090

6170

6460

6820

7260

7890

8710

10090

12020

14800

Anmerkung: K – konservative Annahme Z – Zielwert I – innovativer Wert

In Tabelle 5 sind einige Makroziele des neuen Programms anhand von Punkt 1 des Abschnitts V zusammengestellt. Sie lassen deutlich erkennen, dass die russische Regierung bestrebt ist, die Situation bis 2030 deutlich zu verändern. Der Anteil ziviler elektronischer Produkte, die von russischen Organisationen der Elektronikindustrie hergestellt werden, am gesamten nationalen Elektronikmarkt soll von 31 % im Jahr 2018 auf Werte zwischen 42 und 63 % im Jahr 2030 zunehmen, das aber bei einem deutlich zunehmenden Umsatzwert der Firmen und Wissenschaftsorganisationen der Elektronikindustrie. Der Umsatz soll von 1868 Mrd. Rubel im Jahr 2018 bis auf Werte zwischen 4370 und 5590 Mrd. Rubel im Jahr 2030 hochschnellen (je nach dem Fortschritt in der Umsetzung der Strategie, d. h. welches Szenarium der drei Stufen konservativ-Zielwert-innovativer Wert tatsächlich realisiert werden kann).

Beispiele für wissenschaft-lich-technische Ziele

Punkt 2 von Abschnitt V zählt die Kernvorhaben und Kernziele der Strategie auf sowie die zu deren Erreichung erforderlichen Maßnahmen. Zur inhaltlichen Untermauerung werden einige wissenschaftlich-technische Eckparameter genannt. Die Angaben in Punkt 2 sind systematisch in acht Schlüsselbereiche untergliedert:

  • Wissenschaftlich-technische Entwicklung
  • Produktionsmittel
  • Industriestandards (Normative Basis)
  • Personal
  • Kooperationen
  • Informationsbasis/ IT-Ausstattung
  • Märkte und Produktion
  • Ökonomische Effizienz/ Wirtschaftlichkeit

Aufgrund des erheblichen textlichen Umfangs der Angaben können hier nur kurze Auszüge aus den einzelnen Schlüsselbereichen vorgestellt werden.

Wissenschaftlich-technische Entwicklung

Das Dokument definiert folgendes: Hauptziel der Strategie ist die Gewährleistung der Entwicklung und Unabhängigkeit der russischen Elektronikindustrie in Bereichen, die für nationale Interessen von entscheidender Bedeutung und unter dem Gesichtspunkt der Sicherung einer Führungsposition vielversprechend sind.

Den absoluten Schwerpunkt der Strategie bildet die Halbleitertechnik. Hier geht es um Maßnahmen zur Entwicklung und Industrialisierung von Technologien zur Herstellung digitaler Elektronik (Prozessoren, Controller, Speicher) einschließlich der erforderlichen Systemsoftware, um Leistungselektronik, HF- bzw. Mikrowellenelektronik, analoge Elektronik, Optoelektronik, Photonik und Mikrowellen-Photonik, Sensorik.

Beispiele für konkret genannte Entwicklungs- und Produktions- vorhaben:

  • Siliziumtechnologien und Bauelemente auf deren Basis in den Topologie-Bereichen 65–45, 28, 14–12 und 7–5 nm
  • Si-Bauelemente im Topologie-Bereich 5 nm mit Produktion der Schaltkreise zunächst in ausländischen Foundries und nachfolgender Verlagerung derselben in die Russische Föderation
  • Speicher-IC auf Si-Basis im Topologie-Bereich 25–30 nm und einer Lagenzahl von mindestens 96
  • OLED-Displays mindestens der 6. Generation mit 2048x2048 Pixeln und von Mikrodisplays auf Basis von 200 mm-Wafern
  • Technologien für UHF-Komponenten auf Basis von BiCMOS HBT, HEMT, pHEMT im Topologie-Bereich 65–45 nm, heterogene Integration auf GaN on Si-, SiGe- und GaAs-Wafern
  • Bauelemente für den Terahertz-Frequenzbereich, basierend auf InP und anderen Materialien, für Radargeräte, Videosysteme, medizinische Geräte und andere Anwendungen
  • Photonik-Technologien, einschließlich der heterogenen Integration von InP mit der Si-Technologie, zur Herstellung von photonischen integrierten Schaltkreisen sowie Technologien für aktive und passive Sensoren für Wärmebilder und andere optische Systeme
  • Technologien zur Herstellung von Halbleiterlasern, z. B. auf Basis von GaAs, GaN, InP und darauf basierenden Verbindungen für alle Anwendungsbereiche, einschließlich Telekommunikationsausrüstungen, Laserscannern, Lidars
  • Technologien zur Herstellung von Leistungselektronik auf Basis von GaN und SiC, darunter für den Bereich bis 6500 V/1200 A und Hochtemperatur bis 4500 °C
  • Technologie zur Herstellung von MEMS-Sensoren mit Topologien bis zu 0,5 Mikrometern
  • Verschlüsselungs- und Krypto-Schutztechnologien, einschließlich Hardware-Implementierung von Blockchain-Technologien
  • Technologien zur Herstellung von Kunststoffgehäusen, z. B. für die genannten Halbleiterkomponenten

Eine wichtige Rolle spielt die Entwicklung von Fertigungstechnologien für mehrlagige starre, flexible und starr-flexible Leiterplatten mit bis zu 32 Lagen, einschließlich solcher, bei denen organische Materialien eingesetzt werden.Abb. 7: Wafer sind die Basis jeder Schaltkreisfertigung Abb. 7: Wafer sind die Basis jeder Schaltkreisfertigung

Entscheidend für die Realisierung der aufgezählten Technologien ist die Bereitstellung der notwendigen Materialien. In der Strategie werden dazu u. a. folgende Entwicklungs- bzw. Produktionsaufgaben genannt (Abb. 7):

  • Halbleitermaterialien in allen erforderlichen Formen (poly- und monokristallines Silizium, Siliziumkarbid, monokristalliner Diamant), epitaktische Strukturen aus Silizium, SOI (Silizium auf Isolator), SOS (Silizium auf Saphir), KSDI (Siliziumstrukturen mit dielektrischer Isolierung), Heteroepitaxie-Strukturen A3B5, A2B6, MCT (hetero-epitaktische Strukturen der ternären Verbindung Cadmium-Quecksilber-Tellur) usw.
  • Materialien für die Lithografie, einschließlich Foto-, Elektronen- und Röntgenresists, Entwickler, Planarisierungs- und Antireflexionsbeschichtungen
  • Technologische Verbrauchsmaterialien, darunter Säuren, Lösungs- und Ätzmittel, Spezialgase und Gasgemische, metallorganische Verbindungen, hochreine Metalle und Legierungen, Targets, Klebstoffe, Pasten, Lacke, Flussmittel, Dichtungs- bzw. Vergussmittel

Eine Schlüsselstellung für die Verwirklichung des Halbleiterprogramms der Strategie nehmen die Technologien, Spezialmaterialien sowie Belichtungs- und Messvorrichtungen zur Herstellung von Fotomasken in den Designbereichen 250, 180, 90, 65 und 28 nm sowie Lösungen für die Designbereiche 22–20, 16–14 nm und weniger ein. Von ihnen hängt entscheidend ab, ob das sehr umfangreiche avisierte Bauteilprogramm aus GLSI-Schaltkreisen, monolithisch integrierten Mikrowellenschaltungen, diskreten Halbleiterbauelementen, MEMS, Komponenten der Opto- und Fotoelektronik, Mikrowellen-Photonik mit ihren unterschiedlichen Substraten aus Si, GaAs, GaN, SiC-Materialien, SOI-Strukturen (Silizium auf Isolator), A3B5-Heterostrukturen (GaAs, GaN/SiC) und A2B6 überhaupt verwirklicht werden kann.

Kommen dem Autor allein die hier schon aufgezählten, bis 2030 zu lösenden Aufgaben gewaltig vor, hält die Strategie noch weitere Arbeitsaufgaben wie diese bereit:

Verfahren zur Herstellung von monolithischen integrierten Mikrowellenschaltungen und Halbleiterbauelementen auf A3B5- und A2B6-Basis sowie auf ihnen basierenden elektronischen Modulen, wobei folgende Mischhalbleiter-Technologien einzubeziehen sind: GaAs (pHEMT, PIN, DHFET, BiHEMT, E/D, pHEMT, HBT), GaN (HEMT, pHEMT), GaAlInSbAs (mHEMT), GaSb/InAs (HEMT), InP (HEMT, HBT), Si (DMOS), SiGe (HBT BiCMOS), FBAR (AlN/Si/Mo/SiO2) und DDRV (Si und SiC).

An dieser Stelle sollte man sich folgende Aussage in der Strategie zum gegenwärtigen Stand der russischen Mikroelektronik vor Augen halten: Das Tempo der Schaffung und Entwicklung der industriellen Produktion von ziviler Elektronik entspricht nicht vollständig der Kapazität des Inlandsmarktes, vor allem der Kapazität von Sektoren industrieller Produkte wie Telekommunikations- und Medizintechnik, Haushaltsgeräte, Energienetze und Sicherheitssysteme. In dieser Hinsicht sollte die Entwicklung moderner elektronischer Technologien die Nachfrage und das Wachstum des Anteils russischer elektronischer Produkte am Inlandsmarkt sicherstellen.

Produktionsmittel

In Analogie zur Arbeitsweise der ,westlichen' Mikroelektronikindustrie wird die russische Elektronikindustrie auf die verstärkte kollektive Nutzung von Design- und Fertigungszentren mit einer bestimmten Arbeitsteilung orientiert. In der Strategie wird der Bau u. a. folgender Fertigungseinrichtungen festgelegt:

  • Foundries zur Herstellung digitaler integrierter Schaltkreise im Topologiebereich 28, 14–12 und 7–5 nm
  • Fabrik mit Hetero-Integrationstechnologie zur Herstellung von Mikrowellenkomponenten und Sensoren im Topologiebereich 65–45 nm
  • Fabrik, die auf der SiGe-Technologie für MIS basiert, zur Produktion komplexer Funktionssysteme auf einem Chip für HF-Systeme im Bereich von 100 GHz und höher
  • Fabrik zur Produktion von Nanometer-Elektronik, MIS- bzw. komplexfunktionalen Systemen auf einem Chip und HF-Systemen im Submillimeterbereich bis zu 1 THz, basierend auf GaN-on-SC-, InP- und Diamanttechnologien
  • Produktionseinrichtung für Fotoschablonen für die Produktion von Mikroelektronik im Nanometer-Bereich mit der notwendigen Qualität und Quantität
  • Produktionseinrichtung für Siliziumsubstrate (einschließlich hochohmiger) mit einem Durchmesser von 200 bis 300 mm und für polykristalline Diamantwafer mit einem Durchmesser von bis zu 100 mm
  • Fertigung für OLED- und Mikrodisplays
  • Siliziumfabrik zur Herstellung von Solid-State-Datenspeichern (SSD)
  • Fabrik für Multilayer-Boards bis zu 32 Lagen und bis zur Genauigkeitsklasse 8 nach GOST (Anm. des Autors: L/S-Größe wahrscheinlich min. 25 µm, evtl. auch für Chipsubstrate und Chiplet-Technologien) [8]

Die Elektronikindustrie soll Unterstützung bei der Entwicklung, Produktion und Verwendung russischer Designtools als auch System- und Anwendungssoftware erhalten, unter anderem durch die Schaffung einer vertrauenswürdigen Industrie-Technologieplattform. Es ist geplant, Soft- und Hardware für computergestützte Entwurfssysteme, Bibliotheken komplexer Funktionsblöcke und Entwurfstechnologien für integrierte Schaltkreise verschiedener Integrationsebenen als auch komplexer konstruktiver Lösungen (z. B. System-on-Chip, Silizium-on-Isolator usw.) zu schaffen. Weiterhin sollen die methodischen als auch technologischen Voraussetzungen für die Arbeit auf Basis von Foundries entwickelt werden. Dazu sind normative technologische und IT-technische Vereinheitlichungen (Unifizierungen) durchzusetzen. Ein weiteres Arbeitsgebiet ist die Entwicklung und Bereitstellung der erforderlichen Kontroll-, Mess-, Prüf- und Testtechnik.

Industrie-Standards (Normative Basis)

Modernisierung und Ausbau der Elektronikindustrie erfordern die Modernisierung des Normensystems gemäß den bestehenden und zukünftigen internationalen Anforderungen an Produkte, Technologien und Organisationsprozesse. Zunächst stehen nationale Standards für perspektivisch aussichtsreiche elektronische Produkte im Zentrum mit deren anschließender Umwandlung in internationale.

Personal

Angesichts des hohen Altersdurchschnitts der Beschäftigten in der russischen Elektronikindustrie sieht die Regierung eine erstrangige Aufgabe in der Steigerung der Attraktivität der Branche für die Mitarbeiter und auch für den jüngeren potenziellen Nachwuchs. Ausbildung und Qualifizierung des Personals sollen verstärkt in Übereinstimmung mit den technischen Trends, den zukünftigen Produkten und Märkten anhand langfristiger Planung des Arbeitskräftepotentials erfolgen.

Kooperationen

Zur Verwirklichung der Zielstellungen der Strategie wird zunächst vor allem auf die breitere Nutzung der vorhandenen Produktions-, wissenschaftlichen und technischen Ressourcen gesetzt. Partnerschaften mit ausländischen Organisationen sollen erweitert werden. Dazu werden vorrangige Bereiche der Zusammenarbeit mit ausländischen Herstellern für die Schaffung und schrittweise Lokalisierung von Basistechnologien der Mikroelektronik, von Ausrüstungen und Materialien festgelegt. Gleichzeitig soll eine bessere Informationspolitik über die bereits bestehenden kooperativen Fertigungs- und Konstruktionskapazitäten eingeleitet werden.

Große Bedeutung haben dabei die

  • Beseitigung regulatorischer und organisatorischer Hindernisse, die die Entwicklung der Zusammenarbeit bremsen
  • Organisation der Sammlung, Analyse, Verallgemeinerung und Verbreitung von Best Practices in der Kooperation

Informationsbasis/IT-Ausstattung

Zur Erhöhung der Effizienz des Industriebereiches soll die Gründung und Entwicklung von branchenspezifischen Datenbanken beitragen. Deren Bestandteil werden vertrauenswürdige Register für gerätetechnische Ausstattung, elektronische Basiskomponenten, Kompetenzen und Kapazitäten der Unternehmen sein (Anmerkung des Autors: eine Ähnlichkeit des Herangehens des DoD der USA und des russischen Minpromtorg ist gemäß [2] nicht zu übersehen). Die Strategie sieht weiterhin die Entwicklung und Vereinheitlichung von Instrumenten für den Informationsaustausch in der Branche vor, also ein brancheninternes Informationssystem. Dessen Bestandteil wird ein Datenerfassungssystem zur Überwachung und Kontrolle der Entwicklung der Branche sein. Ein neues rechnergestütztes System zur Verwaltung und Überwachung des Lebenszyklus elektronischer Produkte soll helfen, stärker Traceability und Life Cycle Data zu einer breiten Grundlage der Arbeit zu machen.

Märkte und Produktion

Ein wichtiges Ziel der Strategie besteht darin, zu sichern, dass sich größere Teile der Industrie an nationalen und föderalen Projekten sowie Programmen beteiligen können (Anmerkung: auch dieses läuft konform mit den jüngsten Aktivitäten des DoD und des IPC laut [2]). Um den Anteil russischer Erzeugnisse am russischen Elektronikmarkt zu erhöhen, muss die Nachfrage nach Produkten der Branche angekurbelt werden, unter anderem durch die Einführung von Quoten für den Kauf von in Russland hergestellten Elektronikprodukten.

Gleichzeitig muss der Export russischer Elektronikprodukte auf den Weltmärkten gesteigert werden, unter anderem durch den Export systemtechnischer Lösungen, Plattformen und Dienstleistungen.

Bestandteil der Umsetzung der Strategie wird die Einführung regelmäßiger Analysen und Prognosen der Entwicklung der Elektronikmärkte im Interesse einer systematischen Planung der Vorhaben der Branche sein. Die aufzubauenden kritischen Informations-Infrastrukturen werden aus Sicherheitsgründen auf Basis russischer Software- und Hardwaresysteme realisiert. Der Staat sagt Unterstützung für vorrangige sektorale Projekte und die Bildung von Produktionskonsortien zu. Er ermittelt aber auch Bereiche, in denen der Einsatz russischer technischer Lösungen angesichts von Cyber-Bedrohungen und Sanktionsdruck zu einer entscheidenden Priorität wird.

Realisierungsetappen der Strategie

Abschnitt 7 befasst sich mit den Ansätzen zur Strategieumsetzung. Laut Punkt 1 des Abschnitts soll sich die Umsetzung der Strategie in drei Etappen vollziehen:

1. Etappe 2020–2021

  • Erhöhung des Anteils russischer Elektronik am Inlandsmarkt, hauptsächlich aufgrund traditioneller Märkte und der Beteiligung an der Umsetzung nationaler Projekte
  • Vorbereitung aktiver Werbung auf internationalen Märkten, einschließlich Aspekten wie technologische Basis, Spielregeln, Geschäftsmodelle, Produkt- und Serviceangebote, Diversifizierung der Investitionen

2. Etappe 2022–2025

  • Förderung der russischen Elektronik auf bestehenden Märkten und Eintritt in neue internationale Märkte, einschließlich umfassender Vorschläge und Partnerschaften mit ausländischen Partnern, sowie Erhöhung des Umfangs von Investitionsprojekten

3. Etappe 2026–2030

  • Stetiges Wachstum der Branche und Sicherung ihrer führenden Positionen in vielversprechenden Märkten
  • Gewährleistung der globalen Technologieführerschaft und Betonung vorrangiger Aspekte der Entwicklung

Entwicklung der Branchen-struktur während der Umsetzung der Strategie

Punkt 2 von Abschnitt VII legt die Hauptwege für die Entwicklung der Elektronikindustrie fest. Es wird eine Reihe von Institutionen gebildet, die die Erreichung der strategischen Entwicklungsziele der Branche sicherstellen sollen. Beispiele in Kurzform:

  • Technologische Kompetenzzentren
  • Organisationen mit der Funktion von Branchenchampions
  • Netz von Design-Zentren
  • Regionale kollektive Projektierungszentren zur Unterstützung der Design-Zentren
  • Konsortien
  • Strategische Allianzen
  • Projektbüros zur Unterstützung von Maßnahmen im Rahmen der Strategieumsetzung
  • Nationales Wissenschaftszentrum für Elektronik

Den Konsortien wird besonders große Bedeutung beigemessen. Das können Verbände aus Forschung und Produktion, Vertriebsorganisationen und Verbrauchern sein, die gegründet werden, um Projekte für die Entwicklung, Produktion, Vermarktung und Entwicklung elektronischer Produkte oder einer Produktreihe durchzuführen. Ein Konsortium kann Bildungs- und Wissenschaftsorganisationen, Entwickler von Hard- und Software-Komponenten, Produkthersteller, Entwicklungsinstitutionen, Venture-Unternehmen, Verbraucher und andere interessierte Organisationen umfassen. An den Konsortien können ausländische Hersteller beteiligt sein, die Interesse an der Schaffung und Lokalisierung von Basistechnologien sowie an der Herstellung von Bauteilen, Geräten und Materialien haben. Die Hauptbedingungen für die Teilnahme an Konsortien ausländischer Organisationen sind ein hohes Maß an Lokalisierung der Produktion und die Übertragung von Rechten des geistigen Eigentums an in Russland ansässige Personen. Eine zusätzliche Voraussetzung für den Beitritt eines ausländischen Partners zum Konsortium ist die Gründung eines Joint Ventures mit einem Anteil russischer Einwohner von mehr als 50 %.

Abschnitt VIII befasst sich mit der Finanzierung der Strategievorhaben, Abschnitt IX mit Überwachung, Kontrolle und Verwaltung der Strategieumsetzung.

Schlussbetrachtungen

Der Beitrag soll mit einer kurzen Einschätzung der Strategie aus persönlicher Sicht des Autors abgeschlossen werden. Er hatte bereits in den 70er Jahren Gelegenheit, sich beruflich mit den Mikroelektronikprogrammen DDR/UdSSR, später mit entsprechenden staatlichen Zielprogrammen Russlands zu befassen. Allen Programmen war gemeinsam, dass sie inhaltlich jeweils immer sehr umfangreich abgefasst waren mit recht ambitionierten Zielstellungen. Letztlich konnten sie dann aus sehr unterschiedlichen Gründen nur bruchstückhaft realisiert werden. Die komplexen Gründe dafür wurden in diesem Beitrag schon angeschnitten. Auch bezüglich der neuen Strategie entsteht der Eindruck, dass in sie wie in einem ,Warenhauskatalog' vieles hineingeschrieben wurde, was zur Weiterentwicklung der russischen Elektronikindustrie und besonders der Halbleitertechnik notwendig wäre, wenn sie wenigstens teilweise den Anschluss an den internationalen Stand bekommen und gleichzeitig eine gewisse Unabhängigkeit insbesondere auch von Sanktionen erreichen wollte. Neben dem Einfluss der Sanktionen liegen die wesentlichen Probleme im eigenen Land. Sie erfolgreich zu lösen, dürfte das Hauptproblem für die Regierung sein.

Das Land mit seinen 146 Mio. Einwohnern verfügt mit großer Wahrscheinlichkeit weder über die Man-Power noch über die finanziellen Möglichkeiten zur erfolgreichen Realisierung seiner Strategie. Japan beispielsweise hat 126 Mio. Einwohner und kann sein bei weitem nicht so großes Bauelementespektrum nur durch Nutzung seiner teilweise im Ausland angesiedelten Produktionskapazitäten verwirklichen. Die russische Regierung weiß um ihre begrenzten Ressourcen und orientiert darum auf eine Einbeziehung interessierter ausländischer Unternehmen in die Lösung wesentlicher Aufgaben.

Gulnara Khasyanova, Generaldirektorin des PJSC ‚Mikron', schätzte 2019 in [9] die Situation in Russland so ein: „Das Vorwärtsbringen der Mikroelektronik im Land ist zwar eine grundlegende Aufgabe, doch in Wirklichkeit geht es um mehr. Tatsächlich sprechen wir über die Notwendigkeit der Schaffung eines vollwertigen industriellen Ökosystems rund um mikroelektronische Produkte in Russland, d. h. Wiederaufbau der Kette Chiphersteller-Modulproduzenten-Geräte/Systemhersteller-Anwender. Dieses ist Ende der 90er Jahre durch die absolute Öffnung des inländischen Marktes für billige Import verlorengegangen. Ohne die Schaffung eines solchen Ökosystems werden wir nicht weit kommen.“

Die umfassenden Zielstellungen der Strategie bezüglich größerer Eigenproduktion könnte man indirekt auch als ein Hinweis dafür sehen, dass einerseits die vor einigen Jahren verkündete stärkere Kooperation mit China in der Mikroelektronik bisher nicht deutlich zur Verbesserung der Versorgung der russischen Elektronikproduktion mit wichtigen Halbleitererzeugnissen beigetragen hat und andererseits die russische Regierung weiß, dass China wegen der US-Sanktionen möglicherweise auch als zuverlässiger Partner nicht wie erhofft in der laufenden Dekade wirksam werden kann.

Referenzen:

[1] www.elektronikforschung.de/dateien/bekanntmachungen/impulspapier_vertrauenswuerdige_elektronik.pdf

[2] Plus 4/2021, S. 474-488

[3] www.heise.de/news/IPCEI-Mikroelektronik-EU-Halbleiterfertigung-fuer-mehr-als-100-Milliarden-Euro-4983443.html

[4] www.kp.ru/daily/26994/4054881/

[5] www.garant.ru/products/ipo/prime/doc/73340483/ (in Russisch)

[6] www.tadviser.ru, Rubrik Mikroelektronik, russischer Markt

[7] https://emails.ipc.org/links/IPC-Manufacturing-Ecosystem-Decision.pdf

[8] www.vashdom.ru/gost/53429-2009/#i57843

[9] https://safe-surf.ru/specialists/article/5250/634846/

Weitere Informationen

  • Ausgabe: 7
  • Jahr: 2021
  • Autoren: Dr. Hartmut Poschmann, Tech.Trends, Berlin

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