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Donnerstag, 12 Mai 2022 12:00

Für hart und resonant schaltende Topologien

von
Geschätzte Lesezeit: 1 Minute
CoolSiC MOSFETs bieten hohe Zuverlässigkeit bei geringen Verlusten CoolSiC MOSFETs bieten hohe Zuverlässigkeit bei geringen Verlusten

Die CoolSiC MOSFETs von Infineon nutzen einen optimierten Trench-Halbleiterprozess der geringste Verluste in der Anwendung bei höchster Zuverlässigkeit im Betrieb ermöglicht. Diese MOSFETs in den Spannungsklassen 1700, 1200 und 650 V sowie mit Durchlasswiderständen von 27 bis 1000 mΩ sind für Anwendungen wie Photovoltaik-Wechselrichter, Batterieladung, Energiespeicherung, Motorantriebe, USV, Hilfsstromversorgungen und SMPS-Schaltungen vorgesehen.

Die in diskreten Gehäusen eingebauten MOSFETs eignen sich für Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen (PFC), bidirektionale Topologien und DC-DC-Wandler oder auch DC-AC-Wechselrichter. Sie bieten ausgezeichnete Immunität gegen unerwünschte parasitäre Einschalteffekte und niedrige dynamische Verluste, selbst bei Null Volt Abschaltspannung in Brückentopologien. Mit der CoolSiC Trench-Technologie wird ein flexibler Parametersatz ermöglicht, der für die Implementierung anwendungsspezifischer Merkmale in das jeweilige Produktportfolio genutzt wird:

  • Die 650-V CoolSiC MOSFETs bieten optimiertes Schaltverhalten bei hohen Strömen und geringen Kapazitäten. Sie sind für industrielle Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Motorantriebe konzipiert.
  • Das 1200-V MOSFET-Sortiment ist für industrielle und automotive Anwendungen wie On-Board-Ladegeräte/PFC, Hilfsinverter und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) geeignet.
  • Die Flyback-Typologie charakterisiert die 1700 V-
    Variante, die sie für den Einsatz in Energiespeichersystemen, zum schnellen Aufladen von Elektrofahrzeugen, für das Leistungsmanagement (SMPS) und für Lösungen für Solarenergiesysteme prädestiniert.

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