Dr. Šonský wird das Löwener Zentrum in enger Zusammenarbeit mit dem F&E-Team des Hauptsitzes von Innoscience Technology in Suzhou (China) leiten. Er verfügt über 20 Jahre Erfahrung in Forschung und Entwicklung in der Halbleiterindustrie, hatte zuvor für ein anderes Halbleiterunternehmen sowohl GaN- als auch Silizium-Technologieentwicklungen für Mobil- und Automobilanwendungen vorangetrieben und genießt in der Branche ein hohes Ansehen.
Dr. Denis Marcon, Hauptgeschäftsführer von Innoscience Europe, knüpft große Erwartungen an das neuen Teams um Dr. Šonský: „Unsere Bausteine liefern bereits eine hervorragende Leistung sowohl bei niedrigen Spannungen (30 V bis 150 V) als auch bei hohen Spannungen (650 V). Wir erwarten, dass das neue F&E-Zentrum wird noch bessere Leistung, kleinere Größe und höchste Zuverlässigkeit bietet.“
„Innoscience setzt zu 100 % auf Galliumnitrid“, fügte Dr. Šonský an. „Ich sehe eine wunderbare Gelegenheit, unsere Technologie der nächsten Generation voranzutreiben und es Designern von Leistungselektronik weltweit und in verschiedenen Märkten zu ermöglichen, von ihrer hohen Leistung zu profitieren.“
