Durch den voll automatisierten Depositionsprozess wird die Massenproduktion solcher LEDs mit Chipgrößen um 10 µm zur Realität. G10-AsP erfüllt die Anforderungen der Herstellung von InP-(Indiumphosphid)-Lasern und VCSELs (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) in hohen Stückzahlen. Die 200-mm AsP-Batch-Anlage verfügt über eine automatische Reaktorreinigung und Waferbeladung mit C2C- (cassette to cassette)-Automatisierungsmodul. Für 200-mm-Wafer kann das Front-End mit SMIF (Standard Mechanical Interface)-Pods ausgestattet werden, um die Exposition der Epitaxiewafer gegenüber der Raumumgebung zu minimieren. Nach jedem Prozesslauf oder nach einer Produktion für höchsten Ausstoß an Epi-Wafern pro Zeiteinheit lässt sich die Kammer mit der Reaktorreinigung bei Bedarf neu einstellen. Die Plattform basiert auf dem Planetary Reactor-Prinzip, das ein Multiwafer-Batch-Reaktorkonzept mit der Rotation der einzelnen Wafer kombiniert.
Verbesserte Gleichförmigkeit bildet die Grundlage für eine Massenproduktion von Micro-LED-Displays. Sie beruht auf einem speziellen Stempel- oder Matrizentransfer, bei dem jeweils Tausende von LED-Chips (Arrays) aufgenommen und übertragen werden. Da die Pixel-Arrays vom Epi-Wafer-Substrat übertragen werden, ist Einheitlichkeit erforderlich, damit eine Smartwatch oder Smartphone in einer Ecke des Displays keine Farbabweichungen zeigt.
Micro-LEDs werden für die nächste Generation von TV-, Augmented-Reality- und Fahrzeugdisplays verwendet. Analysten erwarten, dass in diesen Bereichen in fünf bis zehn Jahren der größte Markt für LEDs entstehen wird.
