Donnerstag, 20 April 2023 11:59

650-V IGBT verbessert den Leistungsfaktor

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Der Toshiba-Baustein GT30J65MRB ist ein N-Kanal IGBT im TO-3P Package Bild: Toshiba

Toshiba Electronics Europe liefert einen neuen 650-V IGBT für Anwendungen in der Leistungsfaktor-Korrektur. Das betrifft die Consumer-Elektronik wie Klimaanlagen und andere Haushaltgeräte und gilt auch für die Industrieelektronik. Der Baustein GT30J65MRB ist ein N-Kanal IGBT mit Strom-Rating von 60 A im TO-3P(N) Package. Er basiert auf der neuesten IGBT-Generation von Toshiba mit optimierter interner Trench-Struktur.

Damit verringert er signifikant die Schaltverluste auf typisch 0,35 mJ bei 175 ºC. Das entspricht einer Verbesserung um 40 % gegenüber der früheren Generation. Die Vorwärtsspannung der eingebauten Diode beträgt lediglich 1,20 V, was die Effizienz der angeschlossenen Endgeräte entsprechend verbessert.

Mit früheren IGBTs lief die PFC-Stufe (polyfluorierten Chemikalien) von Klimageräten mit einer Betriebsfrequenz unterhalb 40 kHz. Mit dem geringeren Schaltverlust des neuen GT30J65MRB kann man dies auf 60 kHz erhöhen. Neben der verbesserten Effizienz ermöglicht das die Verringerung der Baugröße und des Gewichts der eingesetzten passiven Elemente.