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Montag, 20 Mai 2024 11:59

Neue MOSFET-Baureihe für Leistungsanwendungen

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Reflow-Lötpunkte für LFPAK56 & Power-SO8 (SOT669) des PSMN1R7-25YLD MOSFET Reflow-Lötpunkte für LFPAK56 & Power-SO8 (SOT669) des PSMN1R7-25YLD MOSFET Bild: Nexperia

Die neue Hochleistungs-MOSFET-Plattform von Nexperia steht im Kupfer-Clip-LFPAK-Gehäuse für die Spannungen 25 V, 30 V und 40 V zur Verfügung.

Die für Stromversorgungen und viele weitere Leistungsanwendungen einsetzbaren Bauteile basieren auf der Superjunction-Technologie des Herstellers. Zudem arbeiten sie synchron, wodurch jeweils anwendungsgerechte hohe VDmax-Werte bzw. maximum drain current (IDmax) und eine Dauerstromfähigkeit von bis zu 425 A erreicht werden können. Damit bietet die neue Serie kompromisslose Hochleistungs-MOSFETs mit hoher Zuverlässigkeit, so Nexperia. Leistungs-MOSFETs sind unerlässlicher Bestandteil von Schaltnetzteilen und Wechselrichtern, da sie eine präzise Steuerung des Stromflusses ermöglichen. Auf seiner Website hat der Hersteller ausführliche Dokumentationen und weitere Hilfen für die Auswahl der geeigneten Varianten, sowie Richtlinien für das geeignete Thermal Design der Baugruppe hinterlegt.

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  • Ausgabe: 5
  • Jahr: 2024
  • Autoren: Volker Tisken

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