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Auf dem IEEE IEDM 2021 (International Electron Devices Meeting) im Dezember demonstrierte das belgische Nanoelektronik-Forschungszentrum Imec die Ko-Integration von High-Performance Schottky-Barrier-Dioden und Depletion-Mode HEMTs auf einer a p-GaN 200-V GaN-on-SOI Plattform mit 200-mm Substrat. Diese Kombination ermöglicht höhere Funktionalität und Performance für GaN-Leistungs-ICs und die monolithische Integration der Leistungsschaltungen mit den Treiberfunktionen. Das Ergebnis sind kleinere, schnellere und effizientere DC/DC-Wandler und Point-of-Load Konverter.

Already today, about 40 % of the energy converted worldwide by technical systems is provided in the form of electric power. This share is expected to rise to around 60 % in 2040. These huge amounts of energy must not only be generated in a way that conserves resources and protects the environment, but must also be distributed and used efficiently.

Bereits heute werden etwa 40 % der weltweit durch technische Systeme konvertierten Energie in Form von elektrischem Strom bereitgestellt. Es wird erwartet, dass dieser Anteil im Jahr 2040 auf etwa 60 % steigt. Diese gewaltigen Energiemengen müssen nicht nur ressourcen- und umweltschonend erzeugt, sondern auch effizient verteilt und genutzt werden.