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Die immer höheren Anforderungen an die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit in der Halbleiterindustrie bei gleichzeitig kurzen Entwicklungszeiten bis zur Marktreife erhöhen den Bedarf an sehr schnellen Testmethoden. Deshalb wurde vor kurzem der BAMFIT-Tester als äußerst schnelle und effiziente Methode zur Bestimmung der Lebensdauer und Screening von Drahtbonds eingeführt. In diesem Beitrag wird eine praktische Methode für den direkten Vergleich der Drahtbonddegradation durch den mechanischen BAMFIT-Test und das beschleunigte Power Cycling präsentiert. Dabei werden Vergleichskurven erstellt, die eine äußerst schnelle Bestimmung der Restlebensdauer und eine realistische und zuverlässige Lebensdauerprognose für Halbleitermodule durch den BAMFIT-Test ermöglichen.

Erfahrungen aus 226 Mrd. Betriebsstunden von eGaN-Komponenten im Feldeinsatz liegen nun als Phase-12-Zuverlässigkeitsbericht vor. Er dient als Lebensdauerprognose anhand physikalischer Modelle und bestätigt: eGaN-Bauelemente erreichen eine Lebensdauer und Robustheit, die über der von Silizium-Leistungshalbleitern liegt.